[其他]一種微氮低氧化碳直拉硅單晶的制備方法無效
| 申請號： | 88100307 | 申請日： | 1988-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN88100307A | 公開（公告）日： | 1988-07-27 |
| 發明（設計）人： | 李立本;闕端麟 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B27/02 |
| 代理公司： | 浙江大學專利代理事務所 | 代理人： | 連壽金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一種微氮低氧低碳直拉硅單晶的制備方法應用外加磁場的單晶爐，以純度為99.99％的氮氣或氬—氮混合氣作為保護氣體，通過合理控制爐內壓力、氣體流量等工藝制備微氮低氧低碳直拉硅單晶，其氧含量可低于10ppma，碳含量可低于1ppma摻入氮含量小于4.5×1015cm3。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微氮低 氧化碳 直拉硅單晶 制備 方法 | ||
【主權項】：
1、一種微氮低氧低碳直拉硅單晶的制備方法，包括外加磁場為1000～5000高斯，坩堝轉速為5～20轉/分，坩堝內多晶投料量為20～60kg，晶體轉速為10～30轉/分，拉速為0.8～1.5毫米/分，晶體直徑為2″～6″，其特征在于采用99.99%以上的氮氣或氬-氮混合氣作為保護氣體，爐內氣體壓力為5～80托，氣體流量為4～16m3/hr。
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