[其他]半導體元件制造工藝無效
| 申請號： | 88100817 | 申請日： | 1988-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN88100817A | 公開（公告）日： | 1988-11-30 |
| 發明（設計）人： | 吉利·德勞希;奧托·庫恩 | 申請（專利權）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/302 | 分類號： | H01L21/302;B24B3/24 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 吳秉芬,程天正 |
| 地址： | 瑞士巴登哈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造半導體元件，尤其是制造大功率半導體元件的方法是使用空心鉆(4)從一塊晶片(1)上至少切下一塊面積較小的圓形元件襯底(2)。按照一種優選的結構，所用空心鉆(4)帶有合適的鉆頭內側(8)，這樣在切下元件的同時又可切好某些反向電壓較高的元件需要具有的邊沿斜面。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 制造 工藝 | ||
【主權項】：
1、制造半導體元件，尤其是制造大功率半導體元件的方法是用機械方式從一塊晶片(1)上至少切下一塊面積較小的元件襯底(2)，這種方法的特點是，元件襯底(2)為圓形，是用空心鉆(4)從晶片(1)上切下的。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
