[其他]動態(tài)隨機存取存儲單元及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 88101174 | 申請日： | 1988-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN88101174A | 公開（公告）日： | 1988-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 克拉倫斯·騰萬生;羅伯特·阿·都靈;阿斯維應(yīng)·海·沙夏 | 申請（專利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | H01L21/76 | 分類號： | H01L21/76;H01L27/10;G11C11/24 |
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 傅遠(yuǎn) |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半導(dǎo)體基片20內(nèi)形成一條溝槽，該溝槽內(nèi)填入多晶硅以形成存儲電容器的一個極板34，基片20用作該電容器的另一極板，溝槽的其余部分隨后填有二氧化硅38，隨后在二氧化硅上蝕刻圖形，露出一部分側(cè)壁直至多晶硅電容器極板，隨后在多晶硅電容器極板和該基片之間形成接觸50，通過氧化形成柵極絕緣體，漏極在與溝槽開口相鄰的溝槽表面形成，隨后在溝槽開孔部分內(nèi)形成導(dǎo)電材料54，由此形成把存儲電容器之一連接至漏極區(qū)24的晶體管。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 動態(tài) 隨機存取 存儲 單元 及其 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種形成存儲單元的方法，包括：在基片中形成溝槽，用介電材料覆蓋所述的溝槽的表面，用導(dǎo)電材料填入所述的溝槽，蝕刻所述的導(dǎo)電材料使導(dǎo)電材料的高度降低到所述的溝槽之內(nèi)，用絕緣材料填滿所述溝槽的其余部份，在所述的溝槽開口處形成摻雜漏極區(qū)，產(chǎn)生露出所述溝槽一部分邊緣的蝕刻掩膜，采用非均勻蝕刻工藝蝕刻所述的絕緣材料直至所述的導(dǎo)電材料，在基片中形成源極區(qū)，所述源極區(qū)和所述的導(dǎo)電材料有電氣接觸，在由所述的進(jìn)入絕緣材料的蝕刻所暴露出的溝槽的側(cè)壁部分上形成柵極絕緣層，以及，用柵極導(dǎo)電材料填充所提供的開孔，以提供控制所述的源極區(qū)和所述的漏極區(qū)之間導(dǎo)通的柵極。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
