[其他]用粘土原料制備碳化硅晶須及其方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 88102366 | 申請日： | 1988-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN88102366A | 公開（公告）日： | 1988-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周毅;李凝芳 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C04B14/38 | 分類號： | C04B14/38;C04B14/32 |
| 代理公司： | 湖北省專利事務(wù)所 | 代理人： | 王玉華 |
| 地址： | 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 用粘土原料作硅源，采用(粘土+碳黑混合層)+碳黑層分層工藝，在非氧化性氣氛下，于1350℃～1600℃加熱，能夠制備碳化硅晶須，晶須長10～200μm，直徑0.1～2μm，非晶須狀碳化硅含量小于20％，利用這種制備方法可以進(jìn)行碳化硅晶須的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)，高Al2O3含量的副產(chǎn)品可作為其它工業(yè)部門的原材料。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 粘土 原料 制備 碳化硅 及其 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種制備碳化硅晶須的方法，其特征在于用粘土原料作為硅源，碳黑作為碳源，采用(粘土+碳黑混合層)(a層)+碳黑層(b層)的分層工藝，裝填在容器內(nèi)，在非氧化性氣氛下，于1350～1600℃加熱2～6小時，在粘土+碳黑混合層中得到高Al2O3含量的殘留層，晶須層與殘留層易于分層。
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