1.一種半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底以及位于所述襯底中的二極管；

第一金屬疊層，位于所述二極管上方，以施加二極管電壓，所述第一金屬疊層包括第一頂部金屬層以及位于所述二極管和所述第一頂部金屬層之間的若干金屬層和通孔；

第二金屬疊層，環(huán)繞設(shè)置于所述第一金屬疊層的外側(cè)，以施加?xùn)艠O電壓，所述第二金屬疊層包括第二頂部金屬層、位于第二頂部金屬層和襯底之間的若干金屬層和通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬疊層與所述襯底之間具有層間介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬疊層與所述襯底之間的層間介質(zhì)層為多層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層間介質(zhì)層為低K材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測結(jié)構(gòu)還包括電流表，位于所述第一金屬疊層上，以記錄所述二極管的電流，通過所述電流判斷所述第二金屬疊層與所述襯底之間的層間介質(zhì)層中是否存在缺陷。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二極管為P型襯底中形成的N阱。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底接地。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)進一步包括密封環(huán)，環(huán)繞設(shè)置于所述第一金屬疊層和所述第二金屬疊層外側(cè)。

9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)檢測缺陷的方法，包括：

對所述二極管施加二極管偏置電壓；

對所述第二金屬疊層施加?xùn)艠O掃描電壓；

記錄二極管的峰值電流；

通過所述電流判斷所述金屬疊層與所述襯底之間的層間介質(zhì)層中是否存在缺陷。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件中缺陷的檢測結(jié)構(gòu)檢測缺陷的方法，其特征在于，所述方法用于同時檢測所述第二金屬疊層與所述襯底之間的多層層間介質(zhì)層是否存在缺陷。