1.一種半導體封裝結構，包括：

一第一基板，具有一上表面及一下表面；

一第一管芯，鄰接于該第一基板的上表面，且電性連接至該第一基板的上表面；

一第一封膠，包覆該第一管芯及該第一基板的上表面；

一第二基板，具有一上表面及一下表面，該第二基板的下表面黏附于該第一封膠上；及

至少一導通柱，貫穿該第一基板、該第一封膠及該第二基板。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第一基板還具有至少一第一上焊墊及至少一第一下焊墊，該至少一第一上焊墊鄰接于該第一基板的上表面，該至少一第一下焊墊鄰接于該第一基板的下表面，且該至少一導通柱貫穿該至少一第一上焊墊及該至少一第一下焊墊。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括一中間膠層，該第二基板的下表面利用該中間膠層黏附于該第一封膠上，且該至少一導通柱貫穿該中間膠層。

4.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第二基板還具有至少一第二上焊墊及至少一第二下焊墊，該至少一第二上焊墊鄰接于該第二基板的上表面，該至少一第二下焊墊鄰接于該第二基板的下表面，且該至少一導通柱貫穿該至少一第二上焊墊及該至少一第二下焊墊。

5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該至少一導通柱的二端分別顯露于該第一基板的下表面及該第二基板的上表面。

6.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括一第二管芯，鄰接于該第二基板的上表面，且電性連接至該第二基板的上表面。

7.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括一第二封膠，其包覆該第二管芯及該第二基板的上表面。

8.一種半導體封裝結構的制造方法，包括以下步驟：

(a)提供一第一基板，該第一基板具有一上表面及一下表面；

(b)附著一第一管芯于該第一基板的上表面，且電性連接該第一管芯至該第一基板的上表面；

(c)形成一第一封膠以包覆該第一管芯及該第一基板的上表面；

(d)提供一第二基板，該第二基板具有一上表面及一下表面，且黏附該第二基板的下表面于該第一封膠上；

(e)形成至少一貫穿孔以貫穿該第一基板、該第一封膠及該第二基板；及

(f)形成一導電金屬于該至少一貫穿孔內以形成至少一導通柱。

9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，該步驟(a)中，該第一基板還具有至少一第一上焊墊及至少一第一下焊墊，該至少一第一上焊墊鄰接于該第一基板的上表面，該至少一第一下焊墊鄰接于該第一基板的下表面，且該步驟(e)中，該至少一貫穿孔貫穿該至少一第一上焊墊及該至少一第一下焊墊。

10.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，該步驟(d)中，該第二基板的下表面利用一中間膠層黏附于該第一封膠上；該步驟(e)中，該至少一貫穿孔貫穿該中間膠層；且該步驟(f)中，該至少一導通柱貫穿該中間膠層。

11.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，該步驟(d)中，該第二基板還具有至少一第二上焊墊及至少一第二下焊墊，該至少一第二上焊墊鄰接于該第二基板的上表面，該至少一第二下焊墊鄰接于該第二基板的下表面，且該步驟(e)中，該至少一貫穿孔貫穿該至少一第二上焊墊及該至少一第二下焊墊。

12.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，該步驟(f)中，該至少一導通柱的二端分別顯露于該第一基板的下表面及該第二基板的上表面。

13.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，還包括一附著一第二管芯于該第二基板的上表面，且電性連接該第二管芯至該第二基板的上表面的步驟。

14.如權利要求13所述的制造方法，其特征在于，還包括一形成一第二封膠以包覆該第二管芯及該第二基板的上表面的步驟。

15.如權利要求14所述的制造方法，其特征在于，還包括一切割該第一基板、該第一封膠、該第二基板及該第二封膠的步驟。