1.一種半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，并在所述襯底中形成多個有源區；

形成多個埋入式的字線于所述襯底中，每個所述有源區與兩個所述字線相交；

刻蝕所述襯底的所述有源區中在相交的兩個所述字線間的中央區域，以形成接觸窗；

沉積導電材料于所述接觸窗及所述襯底在所述有源區之間的區域上；

形成位線于所述襯底上；

以所述位線為掩膜刻蝕所述導電材料，以在所述接觸窗中形成位線接觸墊，其中，所述位線和所述有源區的迭合區域在形狀與尺寸上非完全匹配于所述接觸窗，使所述位線接觸墊形成在所述位線覆蓋所述有源區的區域下且不完全填滿所述接觸窗，所述接觸窗包括未覆蓋所述位線接觸墊及所述位線的區域；以及

通過所述接觸窗的未覆蓋區域向所述有源區注入離子，以形成離子再注入區域，以減緩所述接觸窗在所述位線的交迭區域外的電場強度。