[其他]采用氮保護(hù)氣氛制造直拉(切氏法)硅單晶的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000000295 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100295B | 公開(公告)日: | 1986-02-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 闕端麟;李立本;林玉瓶 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采用 保護(hù) 氣氛 制造 切氏法 硅單晶 方法 | ||
1、一種帶有減壓充氣保護(hù)的直拉(切氏法)硅單晶的制造方法,其特征是采用純氮作為拉制硅單晶的保護(hù)氣氛。
2、按照權(quán)利要求1所述直拉硅單晶的制造方法,其特征在于所用的氮氣純度為99.999%以上,爐內(nèi)氮氣壓力為0.5~60托,氮氣流量為2~50升/分。
3、按照權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于它的最佳技術(shù)參數(shù)是爐內(nèi)氮氣壓力為10~30托,氮氣流量為10~30升/分。
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