[其他]采用氮保護(hù)氣氛制造直拉(切氏法)硅單晶的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000000295 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100295B | 公開（公告）日： | 1986-02-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 闕端麟;李立本;林玉瓶 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 采用 保護(hù) 氣氛 制造 切氏法 硅單晶 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種帶有減壓充氣保護(hù)的直拉（切氏法）硅單晶的制造方法，其特征是采用純氮作為拉制硅單晶的保護(hù)氣氛。
2、按照權(quán)利要求1所述直拉硅單晶的制造方法，其特征在于所用的氮氣純度為99.999%以上，爐內(nèi)氮氣壓力為0.5～60托，氮氣流量為2～50升/分。
3、按照權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于它的最佳技術(shù)參數(shù)是爐內(nèi)氮氣壓力為10～30托，氮氣流量為10～30升/分。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江大學(xué)，未經(jīng)浙江大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/101985000000295/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：燃油鍋爐改燒煤漿煤粉清除爐底沉降灰方法
- 下一篇：角鋼浮動塔板
- 同類專利
- 專利分類
