[其他]采用氮保護氣氛制造直拉(切氏法)硅單晶的方法在審
| 申請號： | 101985000000295 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100295B | 公開（公告）日： | 1986-02-10 |
| 發明（設計）人： | 闕端麟;李立本;林玉瓶 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 保護 氣氛 制造 切氏法 硅單晶 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種帶有減壓充氣保護的直拉（切氏法）硅單晶的制造方法，其特征是采用純氮作為拉制硅單晶的保護氣氛。
2、按照權利要求1所述直拉硅單晶的制造方法，其特征在于所用的氮氣純度為99.999%以上，爐內氮氣壓力為0.5～60托，氮氣流量為2～50升/分。
3、按照權利要求2所述的方法，其特征在于它的最佳技術參數是爐內氮氣壓力為10～30托，氮氣流量為10～30升/分。
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