[其他]半導體工藝在審
| 申請號： | 101985000004071 | 申請日： | 1985-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN1003337B | 公開（公告）日： | 1989-02-15 |
| 發明（設計）人： | 彼得·戴維·格林;丹尼爾·塞吉斯芒多·奧托·倫納 | 申請（專利權）人： | 標準電話電報公共有限公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 陳景俊 |
| 地址： | 英國倫敦WC*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 工藝 | ||
【權利要求書】：
1、一種供制造半導體器件用的質量傳遞工藝，其特征是在一未密封的坩堝〔16，17〕內放置要由質量傳遞生長InP的半導體晶片〔15〕，用InP蓋片〔18〕蓋住半導體晶片，InP從該蓋片被傳遞至半導體晶片，在坩堝中處理傳遞介質材料，傳遞介質材料包括從晶狀KI、RbI和CSI組成的一組中選擇出來的材料〔20〕，然后將未密封的坩堝于一溫度下，在氫氣中加熱，其時間由所需求的生長量而定。
2、如權利要求1的一種質量傳遞工藝，其特征是傳遞介質材料還包括足夠量的金屬銦〔21〕，用以平衡在凹面上InP的生長，防止凸面和平面受刻蝕。
3、如權利要求2的一種質量傳遞工藝，其特征是在660℃之下加熱坩堝。
4、以上任一權利要求所說的一種質量傳遞工藝，用于在InP/InGaAsup系統中不同結構層，其特征是傳遞介質材料包括晶狀KI，并且坩堝不完全密封。
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