[其他]具有高擊穿電壓的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101985000006895
• 申請(qǐng)日: 1985-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN85106895B
• 公開(kāi)（公告）日: 1988-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江本孝朗;鹽見(jiàn)武夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種具有高擊穿電壓的半導(dǎo)體器件制有：

第一電導(dǎo)類型的半導(dǎo)體襯底10;

在第一電導(dǎo)類型的半導(dǎo)體襯底10的規(guī)定區(qū)域中形成的一層第二電導(dǎo)類型的第一雜質(zhì)區(qū)12，并與上述襯底之間形成個(gè)側(cè)面;

在與上述第一雜質(zhì)區(qū)12相對(duì)的上述半導(dǎo)體襯底的背面區(qū)域中，以規(guī)定量進(jìn)行注入，形成的第一電導(dǎo)類型的一層第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)16;

用第二電導(dǎo)類型的保護(hù)環(huán)區(qū)或用阻性電場(chǎng)板極（127）環(huán)繞上述第一雜質(zhì)區(qū)12;其特征在于：

形成的注入?yún)^(qū)16比上述第一雜質(zhì)區(qū)12寬，與上述第一雜質(zhì)區(qū)的周圍側(cè)面相比，上述注入?yún)^(qū)16擴(kuò)大不大于W₀;

W₀是上述第一雜質(zhì)區(qū)12和上述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)16之間沿其深度方向的間隔。

2、按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中形成的上述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)16的中心位置與上述第一雜質(zhì)區(qū)12的中心位置相同，并且上述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)（16）的注入寬度T滿足

t₁＜T≤t₁+2W₀

其中t₁是上述第一雜質(zhì)區(qū)（12）的寬度，T是上述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)16的注入寬度。

3、按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括：

在上述半導(dǎo)體襯底（21）的背面，鄰近于上述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)27的附近，形成一層第一電導(dǎo)類型的第二高摻雜雜質(zhì)區(qū)（28），并且其厚度比上述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)（27）的厚度薄。

4、按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

在上述第一雜質(zhì)區(qū)（22）的范圍內(nèi)形成一層上述第一電導(dǎo)類型的第二雜質(zhì)區(qū)（23）。

5、按照權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一雜質(zhì)區(qū)（12）是晶體管的基區(qū)，所述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)（16）是所述晶體管的集電區(qū)，所述第二雜質(zhì)區(qū)（23）是所述晶體管的發(fā)射區(qū)。