[其他]半導體集成電路器件

在審

• 申請號: 101985000008621
• 申請日: 1985-11-23
• 公開（公告）號: CN1003549B
• 公開（公告）日: 1989-03-08
• 發明（設計）人: 鈴木康永;松原俊明;間明田治佳;浦上憲
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種半導體集成電路器件，包括：

（1）基本單元，每個基本單元包括至少一對雙極晶體管和至少兩個絕緣門場效應晶體管;

（2）基本單元陣列，每個基本單元陣列是由在預定方向上布置的許多上述基本單元形成的;以及

（3）一個基本單元矩陣，是由許多基本垂直上述預定方向布置的許多上述基本單元陣列形成的，在基本單元陣列之間設有預定間隙;

（4）一個把運行電位施加到上述基本單元上的第一運行電位線和一個第二運行電位線;其特征在于，把上述一對雙極晶體管布置在每個上述基本單元的相對的周邊上，在上述一對雙極晶體管之間至少布置一個上述絕緣門場效應晶體管，將上述第一和第二運行電位線沿著上述基本單元陣列并基本平行于上述預定的方向延伸，使其穿過每個上述基本單元的上述相對的周邊，并連接到上述基本單元中形成的上述一對雙極晶體管中所選定的一個晶體管上。

2、按照權利要求1所述的一種半導體集成電路器件，進一步包括：

（5）在上述基本單元陣列中延伸的第一布線，連接上述雙極晶體管和絕緣門場效應晶體管，形成由上述雙極晶體管和絕緣門場效應晶體管相結合組成的一個基本復合電路，用來連接構成上述基本單元陣列的上述基本單元;

（6）在上述基本單元陣列之間的預定空隙區域內延伸的第二布線，用來在上述基本單元陣列之間，或構成幾個上述基本復合電路的上述基本復合電路之間傳輸信號;

其中，每個上述基本復合電路包括一個第一輸入端，耦合到一個上述絕緣門場效應晶體管的一個門電極上，并且布置在上述第二布線與上述第一運行電位線之間或第二布線與上述第二運行電位線之間或第二布線與上述第二運行電位線之間，耦合到選定的一個上述第二布線上;還包括一個第二輸入端，將其耦合到其他上述絕緣門場效應晶體管的一個門電極上，并將其排列在上述第一和第二運行電位線之間的區域內，且耦合到選定的一個上述第一布線上。

3、按照權利要求2所述的一種半導體集成電路器件，其中上述第一布線是由與上述第一運行電位線和第二運行電位線處于同一層內的導電金屬形成的。

4、按照權利要求1所述的一種半導體集成電路器件，其特征在于：每個上述基本單元是由上述一對雙極晶體管和彼此具有不同導電類型的兩個絕緣門場效應晶體管組成的;上述雙極晶體管對的發射極-收集極通路是放在彼此串聯的上述第一和第二運行電位線之間。

5、按照權利要求2所述的一種半導體集成電路器件，其中上述基本復合電路中的一個基本單元是一個三輸入端“與非”電路。

6、按照權利要求4所述的一種半導體集成電路器件，其中上述雙極晶體管對是NPN晶體管，上述兩個絕緣門場效應晶體管是硅門型P溝道和N溝道的MOSFETs晶體管。

7、一種半導體集成電路器件，包括：

（1）一個半導體襯底;

（2）基本單元，每個基本單元包括在上述半導體襯底的內部或表面上形成一系列電路組成元件;

（3）基本單元陣列，每個基本單元陣列是由在X方向上排列上述基本單元形成的;

（4）一個基本單元矩陣，是由在基本垂直X方向的Y方向上排列的上述基本單元陣列形成的，在基本單元陣列之間留有預定空隙;

（5）一個第一運行電位線和一個第二運行電位線，將運行電位施加到上述基本單元上;

（6）在上述基本單元陣列中延長第一布線，連接上述基本單元內部形成的上述電路組成元件，使其形成基本電路，并連接上述基本單位陣列的上述基本單元;