[其他]電子器件的制造方法

在審

• 申請號: 101985000008626
• 申請日: 1985-10-28
• 公開（公告）號: CN1004245B
• 公開（公告）日: 1989-05-17
• 發明（設計）人: 山崎舜平;伊藤健二;永山進
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種用于切割薄膜的激光切割方法，包括的步驟：

在基片上形成一層待刻制圖形的薄膜層部分;從準分子激光器發射激光射線束;其特征是

只在一個方向上收縮上述激光射線束，產生一扁平的線性激光束，其波長小于400nm;

將上述收縮的激光射線束在薄膜的一條線上聚焦;

用升華法除去上述聚焦線上的薄膜。

2、按照權利要求1所述的激光切割法，進一步包括的步驟是在收縮上述激光射線束之前，擴大上述激光射線束的橫截面。

3、按照權利要求2所述的激光切割法，其中擴大上述激光射線束橫截面至少是在與收縮方向相垂直的方向進行。

4、按照權利要求1所述的激光切割法，其中上述薄膜層是導電金屬層部分一般由可升華金屬，例如：鉻（cr），鉻-銅（cr-cu）合金，鉻-銀（cr-Ag）合金或鉻-氮（cr-N）合金組成：從而形成了刻有圖形的可升華金屬的導電金屬層。

5、按照權利要求4所述的激光切割法，其中導電金屬部分的厚度為2微米或更薄，從而形成的刻有圖形的導電金屬是2微米或更薄。

6、按照權利要求1所述的激光切割法，其中在襯底上形成的上述薄膜層的導電金屬層部分具有一層有機的或無機的絕緣體表面，或者一個非單晶半導體層，從而在襯底上或在非單晶半導體層上形成刻有圖形的導電金屬層部分。

7、根據權利要求1所述的一種用于制造電子器件的方法，該器件至少有一個透明的導電層和一個非透明的或反射導電層的刻成圖形的疊層，包括的步驟有：

形成一個透明的導電層和一個不透明的或反射的導電層的疊層部分，其特征是用線性準分子激光束對疊層部分進行照射使之曝光，從而形成制有圖形的疊層部分。

8、按照權利要求7所述的制造方法，其中疊層部分的透明導電層主要由可升華金屬氧化物，例如氧化錫（SnO₂），氧化銦（In₂O₃），或銦-錫-氧（InTO）組成，或由可升華金屬氮化物，例如：氮化銻（SbN），氮化銦（InN）或氮化錫（Sn₅N₄）組成，從而形成可升華氧化物或可升華氮化物的刻有圖形的疊層部分。

9、按照權利要求8所述的制造方法，其中疊層部分的厚度為2微米或更薄，從而形成的刻有圖形的疊層部分是2微米或更薄。

10、按照權利要求7所述的制造方法，其中在襯底上形成的疊層部分具有一個有機的或無機的絕緣體表面，或一個非單晶半導體層，從而在襯底上或在非單晶半導體層上形成刻有圖形的疊層部分。

11、根據權利要求1所述一種用于制造半導體器件的方法，該器件至少有一個刻有圖形的非單晶半導體層，包括的步驟有：

形成一個非單晶半導體層部分;其特征是用線性準分子激光束對非單晶半導體層部分進行照射使之曝光，從而形成刻成圖形的非單晶半導體層。

12、按照權利要求11所述的制造方法，其中非單晶半導體層部分主要由包括氮素或鹵素作為懸空鍵中和劑的可升華半導體層材料組成，例如硅（Si），硅鍺（SiXGe_1-x，其中0＜X＜0.5），碳化硅（SiXC_1-x，其中0＜X＜1），氮化硅（Si₃N_4-x，其中0＜X＜2），或氧化硅（SiO_2-x其中0＜X＜1），從而形成可升華的制有圖形的非單晶半導體層。