[其他]電子器件的制造方法

在審

• 申請號: 101985000008626
• 申請日: 1985-10-28
• 公開（公告）號: CN1004245B
• 公開（公告）日: 1989-05-17
• 發明（設計）人: 山崎舜平;伊藤健二;永山進
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

本發明公開了一種半導體器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻圖形的層，該層可以是導電金屬層，透明導電層和不透明導電層的或反射的得疊層，或非單晶半導體層；另一步是用波長為４００毫微米或更短的激光束在繪有圖形層部分刻出圖形，這些層可以是刻有圖形的導電金屬層，刻有圖形的透明導電層和非透明的或反射導電層的重疊層，或刻有圖形的非單晶半導體層。本發明的優點在于形成的刻有圖形層上沒有任何缺陷。

本發明涉及到一種電子器件如一個半導體光電轉換器件、場效應晶體管、液晶顯示或類似物的制造方法，該器件至少有一層刻成圖形的層。該層可以是一層刻成圖形的導電金屬層，一層刻成圖形的透明導電層和刻有圖形的不透明的、或反射導電層的疊層，或者是一層刻有圖形的非單晶半導體層，特別涉及到改進了電子器件的制造方法，其中至少包括一步形成一層待刻圖形的層，這一層可以是導電金屬層部分，可以是透明導電層和不透明的或反射層的疊層部分，或一層非單晶半導體層;還包括一步用一個或多個激光束將該層部分刻制成圖形層。

為此，這里提供了一種電子器件的制造方法，這種方法至少包括一步是形成待刻圖形的層，該層可以是一層導電金屬層，由一層透明導電層和一層不透明的或反射層組成的疊層，或非單晶半導體層;和另一步是用激光束的方法在繪有圖形層部分刻出圖形，這些層可以是刻成圖形的導電金屬層，刻成圖形的透明導電層和非透明的或反射的導電層的重疊層，或刻成圖形的非單晶半導體層。與其他制造方法，如用光刻技術在這些層上制造圖形的方法相比，上述方法的優點在于形成的刻成圖形層上沒有任何缺陷。其理由是用光刻法形成刻成圖形層的情況下，所使用的光刻膠掩膜上很容易出現針孔，或者在掩膜的邊緣上出現翹起或脫落現象，結果導致出現缺陷，然而使用激光束刻制圖形的工藝就沒有導致這些缺陷的因素。

通常使用的激光束刻制圖形層的方法中，一般的做法是用YAG激光器，該激光器發射激光束的波長比較長，約為1060毫微米。

對于這種波長較長的激光束來說，層部分的吸收系數很小。例如：當待刻圖形的層是導電金屬層，主要由可升華的金屬例如鉻（cr），鉻-銅（cr-cu）合金，鉻-銀（cr-Ag）合金或鉻-氮（cr-N）合金構成的，或者用非升華金屬例如鋁（Al），銅（cu），銀（Ag），鎳（Ni），鎂（Mg）或不銹鋼構成，或者是疊層部分，包括主要由可升華的金屬氧化物，例如有氧化錫（SnO₂），氧化銦（In₂O₃）或銦-鈦-氧化物（ITO）：還有可升華的金屬非氧化物，例如硅-鉻（Si-Cr）或硅-鎳（Si-Ni）合金：或者是可升華的金屬氮化物，例如氮化銻（SbN），氮化銦（InN）或氮化錫（Sn₅N₄）構成的透明導電金屬層，以及不透明的或反射的導電層，其組成主要由上述可升華金屬或不升華金屬制成的導電金屬層部分，或者是非單晶半導體層，其組成主要由可升華的半導體材料，例如硅（Si），硅鍺（Si_xGe_1-x，其中0＜X＜0.5），碳化硅（Si_xC_1-x，其中0＜X＜1），氮化硅（Si₂N_4-x，其中0＜X＜2）或者氧化硅（SiO_2-x，其中0＜X＜1），這些待刻制圖形層的吸收系數是10²/厘米或更小。其根據如下：當激光束波長長到1060毫微米時，其光能量大大小于待刻圖形層的光能帶帶寬。例如，激光束波長為1060毫微米時，其光能量約為1.23電子伏。另一方面，當待刻圖形層是上述導電金屬層，或是透明的和非透明的導電層的疊層，或是非單晶半導體層時，其光能帶帶寬是在3-4電子伏的范圍內。

對于用波長為1060毫微米的激光束對刻層進行刻制圖形來說，必須要求激光束具有高功率，這是因為待刻圖形層對激光束的吸收系數非常小。因此，當待刻圖形層部分薄到2微米或更薄時，就很擔心將襯底和在襯底上面的其他層損壞，或在不該刻有圖形的深度上刻出圖形，同時也擔心刻制圖形層的邊緣部位發生翹起或脫落現象。