[其他]半導體器件

在審

• 申請號: 101985000009419
• 申請日: 1985-12-27
• 公開（公告）號: CN85109419B
• 公開（公告）日: 1988-06-08
• 發明（設計）人: 竹村百子;稻葉道彥;鐵矢俊夫;小林三男
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙越

1、一種半導體器件，其半導體芯片是用含有錫和銅的合金制備的焊接材料固定到基座上的，一金屬層插置到上述焊接材料和上述半導體芯片之間，其特征在于：上述金屬層包括具有厚度范圍在2000到3um之間，它是由鈦、釩、鉻、鋯和鈮所組成的組中選取的一種金屬構成的第一金屬層或含有不低于75原子%的一種上述金屬的一種合金構成的第一金屬層。

2、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的第一金屬層是從鈦、鉻和釩所組成的組中選取一種金屬構成的。

3、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的第一金屬層含有不少于75原子%的從鈦、鉻和釩所組成的組中選取的一種金屬。

4、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的第一金屬層的厚度在2300和1um范圍之內。

5、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的焊接材料層還包括以銅為基體而不大于53原子%的鋅。

6、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的焊接材料層還包括以銅為基體而不大于25原子%的鋁。

7、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的焊接材料層包含13.3原子%到75原子%的銅。

8、一種半導體器件，其半導體芯片是用含錫和銅的合金制備的焊接材料固定到基座上的，金屬層插置到上述焊接材料和上述半導體芯片之間，其特征在于，上述金屬層包括具有厚度范圍在2000到3um，它由鈦、釩、鉻、鋯和鈮所組成的組中選取的一種金屬構成的第一金屬層或含有不低于75原子%的一種上述金屬的一種合金構成的第一金屬層，及包括鎳、鈷或鎳、鈷合金的第二金屬層，該金屬層插置于上述第一金屬層和上述焊接材料層之間。上述第二金屬層比上述第一金屬層薄。

9、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的焊接材料的厚度在1um和3um范圍內。

10、根據權利要求1的一種器件，其特征在于由金做成的抗氧化層是在錫銅表面上形成。

11、根據權利要求10的一種器件，其特征在于上述的金屬層的厚度在1500和3000范圍內。

12、根據權利要求1的一種器件，其特征在于上述的第一金屬層由多層構成。