[其他]半導體器件

在審

• 申請號: 101985000009419
• 申請日: 1985-12-27
• 公開（公告）號: CN85109419B
• 公開（公告）日: 1988-06-08
• 發明（設計）人: 竹村百子;稻葉道彥;鐵矢俊夫;小林三男
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙越

一種半導體器件，其芯片是用錫－－銅合金焊料固定到引線架上的。其中第一層金屬層是插置于芯片和焊料中間的。形成的第一金屬層的厚度在２０００Ａ°到３μｍ的范圍之內，是由鈦、鉻、釩、鋯、鈮中選取的一種金屬，或至少包括一種上述金屬的一種合金構成的。由鎳、鈷或至少含有一種上述金屬的一種合金制備的第二金屬層插置在第一層金屬和焊料之間，其厚度小于第一金屬層。

本發明涉及一種半導體器件，特別是涉及把半導體芯片固定到如引線架那樣的基座上的連結層的改進。

正如通常知道那樣，當把半導體元件芯片固定到引線架或類似物上時，預先在芯片的底部表面淀積一層釩（V），然后在其上再淀積一層鎳（Ni），之后用金-鍺合金做的焊接材料把鎳層和引線架相互連結在一起（日本專利公開號NO.55-19805和NO.55-19806中公開）。

然而，該結構有如下缺點。首先，當片子焊接到引線架上時，假如它被加熱到320℃或更高，鎳層和芯片中所含有的硅起反應，而很容易形成硅化鎳。雖然釩層被插置在鎳層和元件芯片之間，但元件芯片的底表面是不平的，正常時粗糙程度要達幾個μ的量級，以致需要改善有關連結層的結合性能。除此，釩層的厚度是變化的，當加熱時，鎳是很容易擴散到元件芯片的底表面。硅化鎳本身是脆的，當其在形成過程中由于密度的變化而經受相當大的體積變化。因此，形成大量的微孔，引起可靠性的退化。例如接觸不良，起皮，脫落及類似情況。第二，當使用半導體器件時，比如在高濕度氣氛中使用時，在鎳層和金-鍺合金層之間形成局部晶胞，結果，半導體器件的電學特性退化或芯片可能從基座上脫開。第三，因為焊接材料包含的主要成份是金，這很貴而且增加了半導體器件的成本。

同時，另一種已知的結構是在半導體元件芯片的底表面淀積一層釩，在芯層上再淀積一層鎳，再用錫-銅（Sn-Cu）做的焊接材料把鎳層連接到引線架上（日本專利公開號NO.59-193036中公開）。

按此種結構不會形成上面提及的局部晶胞，其成本比前一種器件低。然而，在焊接中由于銅擴散到半導體元件芯片中，電學特性例如npn晶體管的V_CE（集電極-發射極電壓）的飽和值會退化，認為是由下列事實所致，即不管銅在鎳中的擴散系數多么小，但在接近400℃時，會發生鎳和銅的相互擴散，因而鎳層不能作為隔離銅擴散有效阻擋阻。通常地，鎳層曾被認為是銅擴散的阻擋阻。然而，人們發現，實際上鎳層并不能有效地作為阻擋阻。為改善連結性能，在上面的結構中，在鎳層和元件芯片之間插置一層釩層，其厚度約為200到1000，但是作為隔離銅擴散的阻擋層仍是不夠的。

本發明的目的是提供一種半導體器件，該器件是通過連結層把半導體芯片固定到象引線架一類的基座上的。其中連結層的不良接觸或脫落是不易發生的。可降低連結層的成本，而半導體元件的電學特性不會由于連結層而有不利的影響。

根據本發明，提供了一種半導體器件，在器件中半導體芯片是通過由錫-銅合金組成的焊接金屬層固定到基座上，其中第一層金屬層是插置于焊接材料層和半導體芯片之間的，而第一層金屬層是由鈦、鉻、釩、鋯和鈮所組成的組中選取的一種金屬或至少含有不少于75原子%的一種上述金屬的一種合金構成的，其厚度在2000和3μm范圍內。

此外，根據本發明，提供了一種半導體器件，其中第二金屬層是由鎳和鈷所組成的組中選取的一種金屬或至少含有不少于75原子%的一種上述金屬的一種合金構成的，其厚度是小于第一金屬層。第二金屬層是插置于第一金屬層和焊接材料層之間的。

圖1是表示半導體芯片連結到引線架狀況的透視圖。

圖2是表示根據本發明實施方案半導體器件的一種布置的剖面圖。

圖3是表示根據本發明的另一種實施方案的半導體器件的布置的剖面圖。

圖4是用于解釋根據本發明的半導體器件特性的曲線圖。

圖5和圖6是表示根據本發明又一種實施方案一種布置的剖面圖;以及

圖7是表示本發明的半導體器件電學特性與先有技術器件特性的比較圖。

本發明的實施方案將參照附圖來描述。