[其他]薄膜磁頭及其制造方法

在審

• 申請號: 101987000000502
• 申請日: 1987-01-27
• 公開（公告）號: CN1004035B
• 公開（公告）日: 1989-04-26
• 發明（設計）人: 今中律;高木政幸;戶川衛星;藤治信;長池完訓;大浦正樹;鈴木三郎;小林哲夫;鍬俊一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 曹濟洪;董江雄

一種薄膜磁頭，在其由第一和第二磁層構成的磁路中，帶有兩層導體層。該磁路在其與錄制介質相對的一側，有著第一和第二磁層在基本等于縫隙深度的長度上相互對應的部分，而非磁性縫隙層插入其間，另外還有著上述兩磁層相互連接的前部。縫隙層的邊緣構成了磁路的縫隙。如上配置的薄膜磁頭可在不減少其生產量的情況下實現高密度錄制。

本發明涉及了薄膜磁頭，特別是涉及了具有一多圈線圈和一狹窄縫隙深度的薄膜磁頭，它非常適用于高密度的錄制/重放。

近年來，在各種唱片裝置及類似裝置中，對高密度的錄制有著十分迫切的需求。為滿足這一需求，首先是在軌跡寬度方向上增加錄制密度。但是由于這種軌跡寬度的縮減將導致重放輸出衰減的問題。要解決這一問題就需要在有限的面積上比之原來更多地增加導體線圈的圈數。另外為滿足上述需求，還要提高錄制頻率以提高線（Line）錄制密度，但這同樣會引起上述問題。再之唱片裝置等的日趨小型化，由于錄制介質和磁頭間的相對速度減小也會帶來同樣問題。因而目前的要求是要有性能更加改進的磁頭，以避免重放輸出的衰減。

為防止由于加大錄制密度而使重放輸出衰減，一般是在錄制介質上施加一較大強制力。這就要求薄膜磁頭具有這樣一種結構，它可增強錄制磁場。為得到這樣一種磁頭，現已提出加大縫隙長度和磁芯厚度但減小縫隙深度的方案。但是增加了縫隙長度和磁芯厚度，在高頻段會使重放輸出趨于衰減，這是不可取的，因此就需要比原來更多地減小縫隙深度。

為防止由于降低錄制介質和磁頭間的相對速度而導致重放輸出的衰減，在如上所述縮小軌跡寬度的情況下，還需要在有限的面積上加大導體線圈的圈數。

一種先有的典型薄膜磁頭，具有呈橢圓狀的八圈導體線圈，用于如前所述的較高密度錄制和重放。這種薄膜磁頭公開在于1978年遞交的日本專利申請JP-A-55-84019中（對應的美國專利申請號為972，104），以及于1978年遞交的日本專利申請JP-A-55-84020中（對應的美國專利申請號為972，103）。但是這種磁頭產生了新的問題，而在上述的專利申請中并未提出其解決辦法。

這些新產生的問題如下所述：

在有限的面積上于單層導體（線圈）結構中，如纏繞圈數很多，則此種情況下的線圈阻抗要增大。為防止這種阻抗增大，就要加大線圈厚度并減小線圈間隔。而提供這種增加了厚度的線圈，必然會在厚度上使其成形時要用到的光敏抗蝕劑予以增加。但是在生產過程中要成形這種較厚的光敏抗蝕劑及使這種較厚的線圈具有較高的精度是相當困難的。由于線圈間隔的縮短，混雜在線圈繞組間的任何雜質會造成經常性的線圈繞組間的短路情況發生。這會降低磁頭的生產量。再之于前述的情況中，還必須縮減螺旋形繞組的中部與外電路連接區域的面積。然而要在一已縮減了的面積中形成這種連接區域且要求變化很小是很困難的。所以在使用這種磁頭時其連接阻抗會有變化，從而就不可能得到穩定的錄制和重放特性。就磁頭的可靠性而言這是一個嚴重的問題。

在有限的面積上制成多圈繞組的導體，其一種結構在49-33648號日本專利公開中已經提出。此結構中，具有某一寬度的多層導體經各絕緣層而層疊于一基底上。為獲得滿意的磁頭特性，所層疊的層數要多。這就使制造步驟不希望地增加了若干步。

另一種結構是公開在JP-A-56-58124中的多層多繞組制造結構。如果在此種結構中增加導體層數，則線圈繞組成形的面在其高度上要比基底表面高。這將使得要在整個基底表面形成具有較高精度的各線圈繞組相當困難。又因第二磁層是成形于接續步驟中偏移部分（displacement portion）的較高步驟中，所以要確保實現具有較高精度的軌跡寬度也很困難。再之將磁軛中的窗口開大而形成縫隙深度的端部會帶來精度的降低，其中縫隙深度的端部是在與介質相對一側，通過腐蝕磁軛中的絕緣體來決定的。這將引起縫隙深度的變化。磁軛一側上絕緣層的傾斜部，由于腐蝕過度或不足要使其具有預定的傾角及在導體層和磁層之間有預定尺寸均很困難。因此，所要求的錄制特性和導體層與磁層之間的絕緣特性會有變化或根本無法達到。從而要限制導體層的層數以使所形成的繞組不會增加磁軛內的窗口高度。