[其他]陰極射線管用偏轉(zhuǎn)裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101987000002134 | 申請日： | 1987-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN1004241B | 公開（公告）日： | 1989-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 時田清;木田金治;中村三千夫;高橋亨 | 申請（專利權(quán)）人： | 東芝株式會社 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 魏文忠 |
| 地址： | 日本 *** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陰極射線 管用 偏轉(zhuǎn) 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、陰極射線管用偏轉(zhuǎn)裝置（21）包括用于在管（11）中水平地和垂直地偏轉(zhuǎn)電子束（18）的外表面的偏轉(zhuǎn)手段（22，23，24，25）其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)裝置包括至少覆在所述外表面的一部分上的用于增加有效表面積和提高裝置的熱耗散速度的多孔陶瓷層（27，30，31）。
2、根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)裝置，還包括一柱體形模包圍著上述偏轉(zhuǎn)裝置，其中，偏轉(zhuǎn)手段包括一個水平偏向線圈，一個垂直偏向線圈，處于垂直偏轉(zhuǎn)線圈和模之間的用于修正偏轉(zhuǎn)場的分布的磁部件裝置，多孔陶瓷層涂在磁部件裝置上。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中，偏轉(zhuǎn)手段還包括一包圍著模的并具有外表面含有一層多孔陶瓷層的磁心。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述模還包括一多孔陶瓷層涂層。
5、根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中，所述陶瓷層包括硅和鋯的金屬氧化物。
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