[其他]陰極射線管用偏轉(zhuǎn)裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101987000002134
• 申請日: 1987-03-18
• 公開（公告）號: CN1004241B
• 公開（公告）日: 1989-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 時田清;木田金治;中村三千夫;高橋亨
• 申請（專利權(quán)）人: 東芝株式會社
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 魏文忠

產(chǎn)生用于偏轉(zhuǎn)電子束的磁場的偏轉(zhuǎn)裝置（２１），它包括一柱形模（２３），一安排在上述模中的水平偏轉(zhuǎn)線圈（２２），附在模的外部的磁心（２４），繞在上述磁心上的豎直偏轉(zhuǎn)線轉(zhuǎn)圈（２５），插在模和豎直偏轉(zhuǎn)線圈之間的用于修正偏轉(zhuǎn)場的分布的磁部件裝置（２６）。偏轉(zhuǎn)裝置還進(jìn)一步包括一涂覆在模豎直線圈和磁部件裝置的至少一部分表面上用于熱耗散的一多孔陶瓷層（２７）、（３０）、（３１）。

本發(fā)明涉及使用于陰極射線管中的偏轉(zhuǎn)裝置，更具體地說，涉及一種適用于高頻偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)裝置。

應(yīng)用于諸如彩色陰極射線管中的水平偏轉(zhuǎn)頻率通常為15.75KHZ。然而，在要求具有高分辨率和改善的視象清晰度特性的的那些陰極射線管諸如顯像管中，更為普遍遇到的情況是要求使用更高的水平偏轉(zhuǎn)頻率，比如，25KHZ和31KHZ。更有甚者，在用計(jì)算機(jī)進(jìn)行技術(shù)設(shè)計(jì)或生產(chǎn)控制的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和計(jì)算機(jī)輔助生產(chǎn)的應(yīng)用中，所使用的一些顯像管的水平偏轉(zhuǎn)頻率為64KHZ。

當(dāng)偏轉(zhuǎn)裝置以上述高水平偏轉(zhuǎn)頻率工作時，將產(chǎn)生下述問題。

特別是，水平磁場在構(gòu)成偏轉(zhuǎn)裝置的磁心和偏轉(zhuǎn)線圈中產(chǎn)生渦流，這些渦流會發(fā)熱。

比如，如圖7中所示的曲線A描繪水平偏轉(zhuǎn)頻率相對于溫度上升的關(guān)系。從該曲線可見，當(dāng)上述用于14英寸90°偏轉(zhuǎn)顯像管的顯像裝置以通常的水平偏轉(zhuǎn)頻率工作時，磁心溫度的上升△T約為20℃。然而，當(dāng)它以64KHZ的頻率工作時，該△T約為70℃。聚丙烯模的防止可能會產(chǎn)生變形的溫度約為105℃，當(dāng)使用于14英寸90°偏轉(zhuǎn)顯像管的偏轉(zhuǎn)裝置在周圍溫度為50℃的空氣中以64KHZ工作時，磁心的溫度如圖7中所示，上升70℃左右，因此，它周圍的溫度，亦即模的溫度將達(dá)120℃。這使得聚丙烯模產(chǎn)生變形。從功能和可靠性角度來看，這是一個嚴(yán)重的問題。誠然，這（個問題）可通過使用一種具有更高的熱阻材料而加以克服，但這將導(dǎo)致材料成本的極大提高和/或需要更高的機(jī)械加工精度。從批量生產(chǎn)的角度來看這是極其不利的。日本專利申請公開號第59-186239公開一種方法，即使用里茲導(dǎo)線（Litz wire）減少偏轉(zhuǎn)線圈的寄生電容，從而降低由于渦流損耗所產(chǎn)生的溫度上升。但是單獨(dú)使用這一方法還尚未能證實(shí)能否足夠減少熱量的產(chǎn)生。

在上述情形中，線圈中產(chǎn)生的熱量可以減少，但磁心中產(chǎn)生的熱量以及附在磁心和模之間以便調(diào)整偏轉(zhuǎn)場的磁部件中的熱量卻不能加以限制。該磁部件由于在其中使用一塊矽鋼片而具有較低的電阻。由于偏轉(zhuǎn)頻率較高這低電阻致使磁部件中渦流增加。

本發(fā)明的一個目的在于提供一種穩(wěn)定的偏轉(zhuǎn)裝置，即使工作在高水平偏轉(zhuǎn)頻率時，其熱的放出也很小。

根據(jù)本發(fā)明，陰極射線管用偏轉(zhuǎn)裝置包括含有一用于在管中水平地和垂直地偏轉(zhuǎn)電子束的外表面的偏轉(zhuǎn)裝置，和至少涂覆在外表面

一部分上用于增加有效表面面積和加快裝置熱耗散速度的熱耗散手段。

典型的熱耗散手段包括一多孔陶瓷層，該陶瓷層具有的熱耗散較之組成偏轉(zhuǎn)裝置的部件的熱耗散要大。

部件表面上陶瓷層部件具有的比表面積約為部件本身的平面面積的50倍，因而具有良好的熱耗散性能。因此它限制了磁部件的溫度上升，尤其是溫度上升較高的部件，如磁板。

下面將參考附圖對本發(fā)明的最佳實(shí)施例舉例予以闡述，其中，

圖1是本發(fā)明的一個實(shí)施例的部分剖視圖;

圖2是圖1所示的偏轉(zhuǎn)裝置的放大的部分剖視圖;

圖3是圖1中所示的偏轉(zhuǎn)裝置的磁部件和陶瓷層的剖視圖;

圖4是本發(fā)明的另一個實(shí)施例的磁心和陶瓷層的剖視圖;

圖5是本發(fā)明的另一個實(shí)施例的部分剖視圖;

圖6是用于說明本發(fā)明的多孔陶瓷層厚度對磁部件溫度的上升的一根曲線;

圖7為本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)裝置的水平偏轉(zhuǎn)頻率對相應(yīng)的磁部件溫度上升的曲線。

下面將結(jié)合圖1至圖3對本發(fā)明的一個實(shí)施例進(jìn)行闡述。