[其他]電子器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101987000006448
• 申請日: 1987-09-21
• 公開（公告）號: CN1005946B
• 公開（公告）日: 1989-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 間瀨晃;小沼利光;坂間光范;犬島喬;山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種非線性半導(dǎo)體電子器件包括：

一個具有絕緣表面的透光襯底;

一個制有圖形的層部分在上述襯底上形成;

其中，上述層部分的結(jié)構(gòu)是：

（a）一個用做第一電極的第一導(dǎo)電層;

（b）一個非晶半導(dǎo)體層部分;

（c）一個用做第二電極的第二導(dǎo)電層，并與上述各層依次重疊;

（d）上述層部分用一個光敏有機(jī)樹脂膠層環(huán)繞，并且該層是在上述襯底上形成的;

上述電子器件的特征在于：上述光敏有機(jī)樹脂層與上述非晶半導(dǎo)體層部分的側(cè)面接觸，但并不漫延到上述層部分的頂部表面;

完成制作工藝之后得到的上述光敏有機(jī)樹脂膠層的厚度與上述層部分的厚度相同。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非線性半導(dǎo)體電子器件，其中，上述層部分中的非晶半導(dǎo)體層部分至少有：

P（或N）-I-N（或P），

N-I（或P^-）-N，

P-I（或N^-）-P，

N-I（或P^-）-P-I（或P^-）-N，

P-I（或N^-）-N-I（或N^-）-P

結(jié)中的一個。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非線性半導(dǎo)體電子器件，還包括一個導(dǎo)電層部分漫延到上述光敏有機(jī)樹脂膠層上，并與上述層部分中的第二導(dǎo)電層相接觸。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非線性半導(dǎo)體電子器件，其中，光敏有機(jī)樹脂膠層是用聚酰亞胺有機(jī)樹脂形成的。

5、一種非線性半導(dǎo)體電子器件的制造方法包括以下步驟：

準(zhǔn)備一個具有絕緣表面的透光襯底;

在上述襯底的一個部位上，至少形成一個非線性多層電子元件，其透明度小于襯底的透明度;其特征在于：

用光敏有機(jī)樹脂膠至少在整個上述非線性多層電子元件的頂部邊緣覆蓋上述透光襯底;

用上述非線性多層電子元件層做掩膜，通過上述透光襯底進(jìn)行照射，對上述非線性多層電子元件以外的光敏有機(jī)樹脂膠部分進(jìn)行曝光處理;

用溶劑去除未經(jīng)處理的光敏有機(jī)樹脂膠，從而保留經(jīng)過處理的光敏有機(jī)樹脂膠作絕緣層，該層與上述非線性多層電子元件的各側(cè)面緊密接觸，使這個位于絕緣層和非線性多層電子元件之間的接觸避免在非線性電子元件層之間產(chǎn)生電的短路。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種非線性半導(dǎo)體電子器件的制造方法，其中，在制作工藝之前最初形成的光敏有機(jī)樹脂膠的厚度比在襯底上形成的非線性多層電子元件的厚度厚。

7、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種非線性半導(dǎo)體電子器件的制造方法，其中，工藝后在襯底上形成的光敏有機(jī)樹脂膠層厚度基本上與在襯底上形成的非線性多層電子元件層的厚度相同。

8、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種非線性半導(dǎo)體電子器件的制造方法，其中包括在上述非線性多層電子元件層上覆蓋一層導(dǎo)電電極。