[其他]在半導體圓片的邊緣制造斜面的方法

在審

• 申請號: 101987000006903
• 申請日: 1987-10-13
• 公開（公告）號: CN1005943B
• 公開（公告）日: 1989-11-29
• 發明（設計）人: 吉利·德勞希
• 申請（專利權）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 程天正;吳秉芬

一種用于讓半導體圓片（１）的邊緣成形為斜邊的方法，這邊緣由一個傾斜安放的砂輪圓盤磨削而成。處在由壓緊機構（３，６）組成的壓緊裝置中的半導體圓片（１）的對中可藉助于一與之成合金接觸的鉬質圓片（２）完成，鉬質圓片緊貼著仿形圓盤（９）轉動。采用具有適當顆粒度和粘結劑的金鋼石砂輪圓盤是特別有利的。

本發明涉及大功率半導體器件的技術領域。它專門討論一種在半導體圓片、特別是用于中、高壓二極管的半導體圓片的邊緣制造斜面的方法。

人們早已知道，對高阻擋層的功率半導體器件，特別是對中、高壓合金結二極管，通過使其基礎構件的半導體圓片具有適當傾斜的邊緣（即所謂的“正斜角”），以降低表面的電場強度并近似地達到由體特性所決定的耐壓特性。

目前的技術可使這樣的斜邊形狀由各種方式形成。例如，在DE-PS1589421中建議的用一種超聲工具，例如一種超聲鉆床，在半導體圓片上形成斜邊。

另一種在US-PS3，262，234中介紹的方法是使用噴砂法成型。

最后如在DE-AS1539101中順便提及的，可用一種噴砂過程或磨削過程來使半導體器件的邊緣變成斜邊，但是該文沒有詳細地給出實際可用的方法。

在半導體加工方法中，上述的超聲鉆床方法是比較陳舊的一種并由噴砂方法所取代，因為這種方法經常引起半導體圓片的晶格的破壞以及邊緣的破裂。

但在成批生產中使用噴砂方法具有下述缺點：

1.噴砂過程中的容差是難以重復的。

2.噴砂設備，特別是噴嘴極易磨損，而維修又特別費錢。

3.加工時間與圓片厚度成正比，因而生產線的生產能力強烈地依賴于半導體圓片的厚度。

盡管有上述這些缺點，噴砂加工法迄今仍在廣泛使用，這是因為尚無較好的，經過實際考驗的成型方法。

本發明的目的是提供一種產生斜邊形狀的方法，它簡單易行，提供可重復的結果，并且只要求比較低的技術條件。

本發明的目的可由下述方式實現，即把半導體圓片緊壓在墊片上，圓片可轉動，其邊緣用一旋轉砂輪的正面磨制，砂輪的轉軸與壓緊的半導體圓片的轉軸相交成一適當的角度。

本發明的核心在于用砂輪來磨削半導體圓片，斜邊純粹由機械加工的方法形成，這樣就保持了磨削設備的完全確定的幾何形狀。

在一個較佳實施例中，圓片壓緊之前先與一個鉬片合金化地連在一起，然后再讓這半導體圓片和鉬片組合一起壓緊后去研磨。這樣在研磨時半導體圓片所受的機械負載可顯著地降低。

在又一個較佳實施例中，選用金鋼石砂輪，其規格為：金鋼石顆粒的平均直徑為25微米，密度約為3.3克拉/厘米³，包埋在金屬粘結劑中。采用這樣的砂輪可達到非常均勻和精確的斜邊形狀，同時又具有足夠的壽命。

本發明藉助于附圖并結合實施例在下面進一步闡明。

本文唯一的附圖示出了一種磨削設備的幾何布局，這樣的布局可實現根據本發明的一個較佳實施例所確定的加工方法。

附圖簡要地示出了一種磨削設備，由此可將半導體圓片的邊緣磨成斜邊。

為此最好先把半導體圓片1合金化地聯在鉬質圓片2上，同時該鉬片以后可用作成品器件的合金接觸。

這個由半導體圓片1和鉬質圓片2組成的片狀結構然后在兩個壓緊機構3和6間以相應的卡盤瓜4和5壓緊。壓緊機構3和6是可旋轉的，因此被壓緊的半導體圓片在磨削過程中也可旋轉。

由壓緊機構3和6組成的壓緊裝置有一轉軸，砂輪7則安裝在砂輪軸8上，兩軸相交成一定角度適當安置，以便能用砂輪的正面在半導體圓片1上魔出所需要的斜邊。因此斜邊的角度即由壓緊裝置的轉軸和砂輪的轉軸8之間的夾角決定。