[發明專利]一種摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料的制備方法

無效

• 申請號: 201210105266.3
• 申請日: 2012-04-11
• 公開（公告）號: CN102616831A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 張明喆;姚彬彬;趙瑞;盧思宇
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: C01G15/00
• 分類號: C01G15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 王恩遠

1.一種摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料的制備方法，在封閉的反應室內進行，反應室上有進氣孔道和排氣孔道；

首先配制待反應液：將乙酸銦、乙酸銪、巰基乙醇和去離子水混合均勻，用磁力攪拌機攪拌，配制成待反應液；其中按摩爾比乙酸銦∶乙酸銪∶巰基乙醇為1∶0.01～0.04∶1～1.5，待反應液的濃度以乙酸銦摩爾量計為2mmol/L；

其次進行氣液相化學沉積反應：把配置好的待反應液倒入反應室內，密封反應室，通過進氣孔道向反應室內通入N₂氣體，以排空反應室內的氧氣，再通過進氣孔道通入H₂S氣體，實現氣液表面反應；其中H₂S氣體的總量與待反應液中的乙酸銦的摩爾量之比為3～20∶1；隨著H₂S不斷的充入反應室，得到沉積溶液；

最后提取反應后所得沉積溶液：分別用去離子水和乙醇對沉積溶液進行離心清洗，將得到的摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料保存為固體或液體。

2.根據權利要求1所述的摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料的制備方法，其特征在于，反應后所得沉積溶液，使用功率為800～1000瓦的微波加熱15～40min，使摻銪的三硫化二銦納米顆粒進一步生長再進行離心清洗。

3.根據權利要求1或2所述的摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料的制備方法，其特征在于，在反應室外加循環水浴控制反應溫度穩定在25～30℃。

4.根據權利要求1或2所述的摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料的制備方法，其特征在于，所述的保存為固體或液體，是將清洗干凈的摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料放入烘箱中在50～70℃下烘干12～24小時；或在清洗干凈的摻銪的三硫化二銦稀磁半導體納米材料中再加入無水乙醇。