[發明專利]用于有機發光元件的光提取基底、其制造方法以及包括其的有機發光元件

有效

• 申請號: 201480062362.1
• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN105723540B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 李弦熙;尹洪;金序炫;樸敬旭;樸正佑;樸峻亨;白逸姬;尹根尙;李柱永;崔殷豪
• 申請（專利權）人: 康寧精密素材株式會社
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 尹淑梅,劉燦強

1.一種制造用于有機發光裝置的光提取基底的方法，包括：

第一光提取層形成操作：形成第一光提取層，所述第一光提取層包括第一金屬氧化物和加入到第一金屬氧化物的摻雜劑；

第二光提取層形成操作：形成第二光提取層，所述第二光提取層包括第二金屬氧化物，第二金屬氧化物的原子的擴散速率比第一金屬氧化物的原子的擴散速率慢；以及

氣孔形成操作：通過對第一光提取層和第二光提取層進行熱處理使原子擴散而在第一光提取層內形成多個氣孔。

2.如權利要求1所述的方法，其中，在第一光提取層形成操作中使用Ga作為摻雜劑。

3.如權利要求2所述的方法，其中，第一光提取層形成操作包括用按重量計范圍在第一金屬氧化物的量的4.1％至11.3％的含量的Ga摻雜第一金屬氧化物。

4.如權利要求3所述的方法，其中，第一光提取層形成操作包括通過常壓化學氣相沉積在基底上沉積ZnO。

5.如權利要求4所述的方法，其中，第二光提取層形成操作包括通過電子束加工或濺射在第一光提取層上沉積Al₂O₃。

6.如權利要求1所述的方法，其中，氣孔形成操作包括在范圍為600℃至800℃的溫度下對第一光提取層和第二光提取層進行熱處理。