[發明專利]用于有機發光元件的光提取基底、其制造方法以及包括其的有機發光元件

有效

• 申請號: 201480062362.1
• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN105723540B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 李弦熙;尹洪;金序炫;樸敬旭;樸正佑;樸峻亨;白逸姬;尹根尙;李柱永;崔殷豪
• 申請（專利權）人: 康寧精密素材株式會社
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 尹淑梅,劉燦強

技術領域

本發明涉及一種用于有機發光裝置(OLED)的光提取基底及其制造方法以及包括該光提取基底的OLED。更具體地，本發明涉及一種具有優良的光提取效率的用于OLED的光提取基底及其制造方法以及包括該光提取基底的OLED。

背景技術

發光裝置通常可以分為發光層由有機材料形成的有機發光裝置(OLED)和發光層由無機材料形成的無機發光裝置。OLED是基于有機發光層中的激子的輻射衰變的自發光光源，激子通過經由電子注入電極(陰極)注入的電子和經由空穴注入電極(陽極)注入的空穴的復合來產生。OLED具有一系列優點，諸如，低電壓驅動、自發光、寬視角、高分辨率、自然色彩再現性和快速響應速率。

最近，已經積極地進行將OLED應用于諸如便攜式通信裝置、相機、手表、辦公設備、車輛信息顯示裝置、電視(TV)、顯示裝置和照明系統等各種裝置的研究。

為了改善OLED的發光效率，需要改善構成發光層的材料的發光效率或者改善就由發光層產生的光被提取的水平而言的光提取效率。

這里，光提取效率取決于構成OLED的材料的層的折射率。在典型的OLED中，當由發光層產生的光束以大于臨界角的角度發射時，光束會在高折射率層(諸如透明電極層)和低折射率層(諸如玻璃基底)之間的界面處被全反射。因此這降低了光提取效率，從而降低了OLED的整體的發光效率，這是有問題的。

更具體地，僅約20％的由OLED產生的光發射到外部，約80％的產生的光由于源自玻璃基底與包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發射層、電子傳輸層和電子注入層的有機發光層之間折射率的差異的波導效應以及被源自玻璃基底與環境空氣之間的折射率的差異的全內反射而損失。這里，內部的有機發光層的折射率在1.7至1.8的范圍內，而通常用于陽極的氧化銦錫(ITO)的折射率為約1.9。由于這兩層具有顯著低的厚度(在200nm至400nm的范圍內)且用于玻璃基底的玻璃的折射率為約1.5，所以在OLED內部形成平面波導。據估計因上述原因引起的在內部波導模式中光損失的百分比為約45％。此外，由于玻璃基底的折射率為約1.5，并且環境空氣的折射率為1.0，所以當光在玻璃基底的內部出射時，具有大于臨界角的入射角的光束被全反射并被捕獲在玻璃基底內部。捕獲的光的比例通常為約35％，僅約20％的產生的光發射到外部。

因此，正在積極地進行對用于改善OLED的光提取效率的方法的研究。

[相關技術文獻]

專利文獻1：第2013-0193416號美國專利申請公布(2013年8月1日)

發明內容

技術問題

因此，本發明是考慮到在相關技術中出現的上述問題而做出的，本發明提出一種具有優良的光提取效率的用于有機發光裝置的光提取基底、其制造方法以及包括其的有機發光裝置。

技術方案

根據本發明的一方面，一種用于有機發光裝置的光提取基底可以包括：第一光提取層，其中形成有多個氣孔，所述第一光提取層包括第一金屬氧化物和加入到第一金屬氧化物的摻雜劑；第二光提取層，設置在第一光提取層上，所述第二光提取層包括具有與第一金屬氧化物不同的原子擴散速率的第二金屬氧化物。

第一金屬氧化物的原子擴散速率可以比第二金屬氧化物的原子擴散速率快。

第一金屬氧化物的折射率可以大于第二金屬氧化物的折射率。

第一金屬氧化物可以是ZnO，第二金屬氧化物可以是Al₂O₃。

這里，摻雜劑可以是Ga。

摻雜劑的含量按重量計可以在第一金屬氧化物的量的4.1％至11.3％的范圍內。

所述多個氣孔可以從第一光提取層和第二光提取層之間的邊界沿第一光提取層的向內方向形成。

光提取基底還可以包括設置在第二光提取層上的平坦化層。

根據本發明的另一方面，一種制造用于OLED的光提取基底的方法可以包括：第一光提取層形成操作，形成包括第一金屬氧化物和加入到第一金屬氧化物的摻雜劑的第一光提取層；第二光提取層形成操作，形成包括第二金屬氧化物的第二光提取層，第二光提取層的原子擴散速率比第一光提取層的原子擴散速率慢；以及氣孔形成操作，通過對第一光提取層和第二光提取層進行熱處理使原子擴散而在第一光提取層內形成多個氣孔。

這里，Ga可以在第一光提取層形成操作中用作摻雜劑。

第一光提取層形成操作可以包括用按重量計范圍在第一金屬氧化物的量的4.1％至11.3％的含量的Ga摻雜第一金屬氧化物。