[發明專利]膜、膜的制造方法、覆金屬層疊體和被覆金屬導體

在審

• 申請號: 202080060230.0
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN114302908A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 笠井涉;細田朋也;光永敦美;寺田達也;結城創太
• 申請（專利權）人: AGC株式會社
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;C09D127/18;C09D179/08;B32B15/00;B32B15/082;B32B15/088;B32B27/30;B32B27/34;C08L79/08
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張佳鑫;董慶

1.一種膜，其具有芳族性聚酰亞胺基膜、以及分別設置在所述基膜的兩面上的包含含有基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的聚合物及芳族性聚合物的層。

2.如權利要求1所述的膜，其中，所述基膜與所述層直接接觸。

3.如權利要求1或2所述的膜，其中，所述聚合物為包含基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的具有極性官能團的聚合物、或包含基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元且基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的含量相對于全部單元為2.0～5.0摩爾％的不具有極性官能團的聚合物。

4.如權利要求1～3中任一項所述的膜，其中，所述芳族性聚合物為芳族性聚酰亞胺。

5.如權利要求1～4中任一項所述的膜，其中，所述層的表面上存在極性官能團。

6.如權利要求1～5中任一項所述的膜，其中，所述膜的厚度為25μm以上，2個所述層的合計厚度相對于所述基膜的厚度之比為1以上。

7.如權利要求1～6中任一項所述的膜，其中，所述層中，所述芳族性聚合物的量相對于所述聚合物與所述芳族性聚合物的合計量為10質量％以下。

8.如權利要求1～7中任一項所述的膜，其中，所述膜的吸水率為0.1％以下。

9.如權利要求1～8中任一項所述的膜，其中，所述膜在波長355nm下的吸光率為50％以上。

10.如權利要求1～9中任一項所述的膜，其中，所述膜的介電損耗角正切小于0.003。

11.一種膜的制造方法，其在芳族性聚酰亞胺基膜的表面上涂布包含含有基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的聚合物粉末、芳族性聚合物或其前體、以及液態介質的粉末分散液，加熱而形成層，獲得所述基膜的兩面上分別設有所述層的膜。

12.如權利要求11所述的制造方法，其中，所述粉末分散液還包含熱分解性非離子性表面活性劑。

13.如權利要求11或12所述的制造方法，其中，在包含氧氣的氣氛下加熱而形成層。

14.一種覆金屬層疊體，其具有權利要求1～11中任一項所述的膜、以及分別粘貼于所述膜的兩面上的金屬箔。

15.一種被覆金屬導體，其具有金屬導體、和以被覆所述金屬導體的方式設置的權利要求1～11中任一項所述的膜。