[發明專利]膜、膜的制造方法、覆金屬層疊體和被覆金屬導體

在審

• 申請號: 202080060230.0
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN114302908A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 笠井涉;細田朋也;光永敦美;寺田達也;結城創太
• 申請（專利權）人: AGC株式會社
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;C09D127/18;C09D179/08;B32B15/00;B32B15/082;B32B15/088;B32B27/30;B32B27/34;C08L79/08
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張佳鑫;董慶

本發明提供耐熱性優異、不易產生翹曲且粘接力高的膜及其制造方法、以及使用該膜形成的覆金屬層疊體和被覆金屬導體。本發明的膜具有芳族性聚酰亞胺基膜、以及分別設置在所述基膜的兩面上的包含含有基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的聚合物和芳族性聚合物的層。

技術領域

本發明涉及在芳族性聚酰亞胺基膜的兩面上分別具有包含特定四氟乙烯類聚合物與芳族性聚合物的聚合物層的膜及其制造方法、以及使用了該膜的覆金屬層疊體和被覆金屬導體。

背景技術

已知一種3層結構的膜，其以聚酰亞胺膜為基膜，在其兩面分別設有四氟乙烯類聚合物(TFE類聚合物)的層(參照專利文獻1)。

由于聚酰亞胺為成形特性和機械性質優異的工程塑料，而TFE類聚合物的電特性和耐熱性特別優異，因此該3層結構的膜可以用作印刷基板、電線被覆等高端電氣·電子領域中使用的材料。

此外，專利文獻2提出了由包含TFE類聚合物粉末的粉末分散液形成該膜中的層的方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開2015/080260號

專利文獻2：日本專利特開平09-157418號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

本發明人為了擴展上述膜的使用形態(在回流焊接工序等高溫范圍內的使用等)，研究了使用熔融溫度高且耐熱性優異的含有基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的聚合物(PFA類聚合物)。在此情況下，本發明人發現由其獲得的3層結構的膜存在容易翹曲且其尺寸穩定性下降的問題，以及PFA類聚合物的層和聚酰亞胺膜會發生剝離的問題。

此外，還發現該3層結構的膜與其他基材粘貼時其粘接力還不充分、特別是在高溫范圍內其粘接力容易下降的問題。進一步還發現，從調整上述膜中TFE類聚合物的物性(特別是電特性)的觀點來看，若上述層變厚，則這些問題變得更加明顯。

本發明人為了解決上述問題而進行了深入研究，結果發現，在具有芳族性聚酰亞胺基膜和PFA類聚合物層的膜中，若向PFA類聚合物層中摻合芳族性聚合物，則膜的翹曲可以得到良好抑制。此外還發現，芳族性聚合物的摻合不僅使得上述層與芳族性聚酰亞胺膜的密合性提升，還使得UV吸收性等光學物性、彎折性等機械物性之類的膜物性提升，能夠獲得結構自由度高的膜。

本發明基于這些發現而完成，其目的在于提供耐熱性優異、不易產生翹曲且密合力高的膜及其制造方法、以及使用了該膜的覆金屬層疊體和被覆金屬導體。

解決技術問題所采用的技術方案

本發明具有以下技術內容。

[1]一種膜，其具有芳族性聚酰亞胺基膜、以及分別設置在所述基膜的兩面上的包含含有基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的聚合物及芳族性聚合物的層。

[2]如[1]所述的膜，其中，所述基膜與所述層直接接觸。

[3]如[1]或[2]所述的膜，其中，所述聚合物為包含基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的具有極性官能團的聚合物、或包含基于四氟乙烯的單元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元且基于全氟(烷基乙烯基醚)的單元的含量相對于全部單元為2.0～5.0摩爾％的不具有極性官能團的聚合物。

[4]如[1]～[3]中任一項所述的膜，其中，所述芳族性聚合物為芳族性聚酰亞胺。

[5]如[1]～[4]中任一項所述的膜，其中，所述層的表面上存在極性官能團。

[6]如[1]～[5]中任一項所述的膜，其中，所述膜的厚度為25μm以上，2個所述層的合計厚度相對于所述基膜的厚度之比為1以上。

[7]如[1]～[6]中任一項所述的膜，其中，所述層中，所述芳族性聚合物的量相對于所述聚合物與所述芳族性聚合物的合計量為10質量％以下。