[發(fā)明專利]OPC修正方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210103826.5 | 申請日: | 2022-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN114460806A | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李葆軒;劉佳琦 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | opc 修正 方法 | ||
1.一種OPC修正方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、提供需要進行OPC修正的原始版圖,所述原始版圖中存在密集圖形和孤立圖形的過渡區(qū)域,在所述過渡區(qū)域中存在多條半孤立線端,各所述半孤立線端和對應的所述密集圖形臨近;
在所述過渡區(qū)域中存在兩條以上的所述半孤立線端對齊于對齊直線上的結構,所述對齊直線和所述半孤立線端的長度方向垂直;
步驟二、在所述原始版圖中找到所有所述對齊直線以及各所述對齊直線對應的各所述半孤立線端;
步驟三、進行所述半孤立線端的預調整,包括:沿相應的所述半孤立線端的長度延伸方向進行伸長或縮短來調節(jié)所述半孤立線端的側面位置,使各相鄰的對齊于所述對齊直線的兩個所述半孤立線端的側面之間具有第一間距,通過增加所述第一間距增加和所述半孤立線端臨近的所述密集圖形的OPC修正的工藝窗口;所述原始版圖在經(jīng)過所述半孤立線端調節(jié)后成為中間版圖;
步驟四、對所述中間版圖進行OPC修正。
2.如權利要求1所述的OPC修正方法,其特征在于:所述原始版圖中包括金屬層圖形,所述密集圖形、所述孤立圖形和所述半孤立線端都為金屬層圖形。
3.如權利要求2所述的OPC修正方法,其特征在于:在密集圖形區(qū)域中,各所述密集圖形都呈條形結構且各所述密集圖形都沿寬度方向上周期排列。
4.如權利要求3所述的OPC修正方法,其特征在于:所述第一間距的大小保證相鄰兩個所述半孤立線端的側面處的OPC修正對臨近的所述密集圖形的OPC修正的影響區(qū)域完全錯開。
5.如權利要求4所述的OPC修正方法,其特征在于:所述第一間距大于等于所述密集圖形的步進。
6.如權利要求3所述的OPC修正方法,其特征在于:在沿所述密集圖形的寬度方向上,所述密集圖形區(qū)域兩側都存在所述過渡區(qū)域。
7.如權利要求6所述的OPC修正方法,其特征在于:和所述對齊直線對齊的所述半孤立線端都位于所述密集圖形區(qū)域同一側的所述過渡區(qū)域中。
8.如權利要求7所述的OPC修正方法,其特征在于:所述原始版圖中,相鄰兩條所述半孤立線端長度延伸方向相反,相鄰兩條所述半孤立線端部分重疊或具有間隔,相鄰兩條所述半孤立線端的側面之間的間距小于等于具有第二間距,所述第二間距使所述半孤立線端的側面接近對齊從使得相鄰兩個所述半孤立線端的側面處的OPC修正對臨近的所述密集圖形的OPC修正的影響區(qū)域重疊,從而會影響臨近的所述密集圖形的OPC修正的工藝窗口。
9.如權利要求6所述的OPC修正方法,其特征在于:和所述對齊直線對齊的所述半孤立線端位于所述密集圖形區(qū)域的相反兩側的所述過渡區(qū)域中。
10.如權利要求7所述的OPC修正方法,其特征在于:所述原始版圖中,相鄰兩條所述半孤立線端的長度延伸方向相反,相鄰兩條所述半孤立線端部分重疊,相鄰兩條所述半孤立線端的側面的間距小于等于第二間距,所述第二間距使所述半孤立線端的側面接近對齊從使得相鄰兩個所述半孤立線端的側面處的OPC修正對臨近的所述密集圖形的OPC修正的影響區(qū)域重疊,從而會影響臨近的所述密集圖形的OPC修正的工藝窗口;
或者,相鄰兩條所述半孤立線端的長度延伸方向相同,相鄰兩條所述半孤立線端的側面的間距小于等于第二間距,所述第二間距使所述半孤立線端的側面接近對齊從使得相鄰兩個所述半孤立線端的側面處的OPC修正對臨近的所述密集圖形的OPC修正的影響區(qū)域重疊,從而會影響臨近的所述密集圖形的OPC修正的工藝窗口。
11.如權利要求2所述的OPC修正方法,其特征在于:步驟三中,通過對相鄰的兩條所述半孤立線端中的一條或者兩條進行伸長來調整所述第一間距;或者,通過對相鄰的兩條所述半孤立線端中的一條或者兩條進行縮短來調整所述第一間距。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





