[發(fā)明專利]OPC修正方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210103826.5
• 申請(qǐng)日: 2022-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114460806A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李葆軒;劉佳琦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發(fā)明公開(kāi)了一種OPC修正方法，包括：步驟一、提供原始版圖，原始版圖中存在密集圖形和孤立圖形的過(guò)渡區(qū)域，在過(guò)渡區(qū)域中存在兩條以上的半孤立線端對(duì)齊于對(duì)齊直線上的結(jié)構(gòu)。步驟二、找到所有對(duì)齊直線以及對(duì)應(yīng)的各半孤立線端。步驟三、進(jìn)行所述半孤立線端的預(yù)調(diào)整，包括：進(jìn)行伸長(zhǎng)或縮短來(lái)調(diào)節(jié)半孤立線端的側(cè)面位置，使各相鄰的對(duì)齊于對(duì)齊直線的兩個(gè)半孤立線端的側(cè)面之間具有第一間距，通過(guò)增加第一間距增加和半孤立線端臨近的密集圖形的OPC修正的工藝窗口；原始版圖在經(jīng)過(guò)半孤立線端調(diào)節(jié)后成為中間版圖。步驟四、對(duì)中間版圖進(jìn)行OPC修正。本發(fā)明能提高臨近于半孤立線端對(duì)齊位置處的密集圖形的OPC修正的工藝窗口。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造方法，特別涉及一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正(OPC)方法。

背景技術(shù)

在光刻工藝中，掩模版即光罩(Mask)上的版圖對(duì)應(yīng)的圖形結(jié)構(gòu)會(huì)通過(guò)曝光系統(tǒng)投影到光刻膠中并在光刻膠中形成對(duì)應(yīng)的圖形結(jié)構(gòu)，但是由于曝光過(guò)程中的光學(xué)原因或者光刻膠的化學(xué)反應(yīng)的原因，在光刻膠中形成的圖形結(jié)構(gòu)和掩模版上的圖形結(jié)構(gòu)存在偏差，這種偏差則需要通過(guò)OPC修正預(yù)先對(duì)掩模版上的圖形結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改，采用經(jīng)過(guò)OPC修正的掩模版進(jìn)行曝光時(shí)，在光刻膠中形成的圖形結(jié)構(gòu)則會(huì)和設(shè)計(jì)的圖形結(jié)構(gòu)相符，并符合工藝生產(chǎn)要求。

在版圖的圖形結(jié)構(gòu)中根據(jù)圖形密度不同分為密集圖形和孤立圖形以及位于二者之間的過(guò)渡區(qū)域的半孤立圖形。密集圖形的圖形之間間距減小，在光刻過(guò)程中，密集圖形之間的衍射光會(huì)存在相互作用；而孤立圖形的周側(cè)比較空曠，孤立圖形之間的衍射光相互作用較弱或沒(méi)有相互作用。半孤立圖形的一側(cè)為密集圖形區(qū)，另一側(cè)則較為空曠。

版圖包括多層圖形層，如金屬層，通孔層。其中，對(duì)于金屬層，特別是接近光刻極限的工藝下，在密集/孤立圖形的過(guò)渡區(qū)域中，往往容易出現(xiàn)工藝窗口差的現(xiàn)象，此時(shí)往往需要對(duì)圖形空間周期進(jìn)行適當(dāng)松解(pitch loose)、通孔層位移(via shift)等方法來(lái)防止斷線。如圖1A所示，是現(xiàn)有OPC修正方法中進(jìn)行OPC修正前對(duì)臨近過(guò)渡區(qū)域的密集圖形的空間周期進(jìn)行松解前的密集圖形的示意圖；圖1A中顯示了金屬層圖形101以及通孔層圖形102，通孔層圖形102位于金屬層圖形101的部分區(qū)域上。金屬層圖形101的圖形空間周期即步進(jìn)(pitch)為金屬層圖形101的寬度w101和間距w102的和。

如圖1B所示，是現(xiàn)有OPC修正方法中進(jìn)行OPC修正前對(duì)臨近過(guò)渡區(qū)域的密集圖形的空間周期進(jìn)行松解后的密集圖形的示意圖；金屬層圖形101的圖形空間周期為寬度w101a和間距w102a的和。w101a大于w101以及w102a大于w102。

但在多個(gè)準(zhǔn)孤立線端即半孤立線端對(duì)齊于一條線的情況下，由于線端縮短的光學(xué)/光阻現(xiàn)象，線端需要向外大量修正，對(duì)齊的線端在OPC修正時(shí)會(huì)產(chǎn)生同時(shí)外擴(kuò)和互相沖突的情況，從而從兩側(cè)對(duì)中間密集圖形區(qū)域產(chǎn)生嚴(yán)重?cái)D壓，使pitch loose無(wú)法完全解決中間區(qū)域工藝窗口差、易斷線的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種OPC修正方法，能提高臨近于半孤立線端對(duì)齊位置處的密集圖形的OPC修正的工藝窗口。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的OPC修正方法包括如下步驟：

步驟一、提供需要進(jìn)行OPC修正的原始版圖，所述原始版圖中存在密集圖形和孤立圖形的過(guò)渡區(qū)域，在所述過(guò)渡區(qū)域中存在多條半孤立線端，各所述半孤立線端和對(duì)應(yīng)的所述密集圖形臨近。

在所述過(guò)渡區(qū)域中存在兩條以上的所述半孤立線端對(duì)齊于對(duì)齊直線上的結(jié)構(gòu)，所述對(duì)齊直線和所述半孤立線端的長(zhǎng)度方向垂直。

步驟二、在所述原始版圖中找到所有所述對(duì)齊直線以及各所述對(duì)齊直線對(duì)應(yīng)的各所述半孤立線端。