[其他]兩色分波硅彩色傳感器無效
| 申請號： | 85100237 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100237A | 公開（公告）日： | 1986-07-23 |
| 發明（設計）人： | 陳偉秀;張烽生 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | H01L27/04 | 分類號： | H01L27/04;H01L31/10 |
| 代理公司： | 武漢大學專利事務所 | 代理人： | 龔茂銘 |
| 地址： | 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 兩色分波硅 彩色 傳感器 | ||
【權利要求書】：
1、一種兩色分波硅彩色傳感器，其特征在于由三個深度不同的PN結(1)、PN結(2)和PN結(3)構成單片集成光敏器件，利用內部光學濾色器進行光譜剪裁和分波。
2、根據權利要求1所說的兩色分波硅彩色傳感器，其特征在于PN結（2）和重摻雜硅單晶襯底（5）起內部濾色器作用，在PN結（2）上施加0-15伏的反向電壓。
3、根據權利要求1所說的兩色分波硅彩色傳感器，其特征在于PN結（1）與PN結（2）有效受光面積之差和PN結（3）與PN結（2）有效受光面積之差的相對值小于1%。
4、根據權利要求1所說的兩色分波硅彩色傳感器，其特征在于PN結（1），PN結（3）分別為具有不同光譜特性的光電二極管，如PN結（1）為具有藍色光譜特性的光電二極管，PN結（3）為具有紅色光譜特性的光電二極管。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢大學，未經武漢大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/85100237/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
