[其他]兩色分波硅彩色傳感器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85100237 | 申請(qǐng)日: | 1985-04-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN85100237A | 公開(kāi)(公告)日: | 1986-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳偉秀;張烽生 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 武漢大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/04 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/04;H01L31/10 |
| 代理公司: | 武漢大學(xué)專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人: | 龔茂銘 |
| 地址: | 湖北省武漢*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 兩色分波硅 彩色 傳感器 | ||
本發(fā)明屬于一種半導(dǎo)體光敏器件
傳統(tǒng)的紅藍(lán)比色法測(cè)色裝置,是用兩塊濾色片和二個(gè)光敏元件組成的測(cè)色探頭,裝置復(fù)雜,生產(chǎn)和使用都很不方便。近幾年來(lái),出現(xiàn)了兩色半導(dǎo)體彩色傳感器,如日本sharp公司研制的PD-15.0、PD-151雙結(jié)硅光電二極管(谷普平,《電子科學(xué)》,NO,10,1979,p47-51)和J.C.Campbell等人提出的InGaAsp近紅外分波兩色光電探測(cè)器,(IEEE????J.Quantum????Electron,QE-16,601(1980))。這些色敏器件,都存在一些帶根本性的問(wèn)題:日本Sharp公司研制的雙結(jié)硅光電二極管,雖然具有兩條峰值波長(zhǎng)不同的光譜響應(yīng)曲線,但是這兩條光譜響應(yīng)曲線的重迭部分太多,而且光譜范圍也太寬,致使測(cè)色精度很低,實(shí)用價(jià)值不大;用化合物半導(dǎo)體多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)做成的InGaAsp兩色分波光電探測(cè)器,解決了兩條光譜響應(yīng)曲線互不重迭的問(wèn)題,遺憾的是,它是一種近紅外分波器件,不適用于作測(cè)色探頭,而且結(jié)構(gòu)復(fù)雜,工藝難度大,造價(jià)昂貴,難于推廣應(yīng)用。
本發(fā)明著重于提出一種兩色分波硅彩色傳感器,解決兩色光譜的互不重迭問(wèn)題,并利用內(nèi)部光學(xué)濾色器進(jìn)行光譜剪裁。這種單片集成硅彩色傳感器,主要用于取代傳統(tǒng)的由兩塊濾色片和兩個(gè)光敏元件組成的測(cè)色探頭,簡(jiǎn)化測(cè)色裝置降低測(cè)色儀器的成本。
本發(fā)明的兩色分波硅彩色傳感器結(jié)構(gòu)示意圖如附圖1所示,它包含了三個(gè)深度不同的PN結(jié)-PN結(jié)(1)、PN結(jié)(2)和PN結(jié)(3)。如附圖1所示,當(dāng)光線垂直入射到硅片表面上時(shí),由于硅的吸收系數(shù)隨波長(zhǎng)而異,不同波長(zhǎng)的光在硅中的透入深度不同,短波長(zhǎng)光在硅的表面薄層內(nèi)就幾乎完全被吸收,而長(zhǎng)波長(zhǎng)光則可透入到硅片的深處。因此,PN結(jié)(1)光電二極管吸收了大部分的短波長(zhǎng)光,而長(zhǎng)波長(zhǎng)光則吸收甚少,從而使PN結(jié)(1)光電二極管的峰值波長(zhǎng)處在藍(lán)綠色光譜區(qū),結(jié)深最深的PN(3)光電二極管得到了最好的紅色光譜響應(yīng),我們把PN結(jié)(2)作為內(nèi)部光學(xué)濾色器,由于它在黃色光譜區(qū)具有最強(qiáng)的吸收,使得PN結(jié)(1)和PN結(jié)(3)光電二極管的光譜響應(yīng)曲線通過(guò)PN結(jié)(2)的濾色作用而在黃色光譜區(qū)彼此分開(kāi),互不重迭,這是本發(fā)明的第一大特點(diǎn);本發(fā)明的另一個(gè)特點(diǎn)是用重?fù)诫s硅單晶作為襯底而制作的異型外延PN結(jié)(3),由于重?fù)诫s硅單晶的少數(shù)載流子壽命極低,光生少數(shù)載流子很少能擴(kuò)散到PN結(jié)(3),因此,該重?fù)诫s襯底也起著內(nèi)部濾色器的作用,將切除PN結(jié)(3)光電二極管紅光譜曲線中的近紅外光譜;本發(fā)明的第三個(gè)特點(diǎn)是在PN結(jié)(2)上施加0-15伏的反向電壓,可以使PN結(jié)的勢(shì)壘變寬,以便吸收更多的黃色光譜。對(duì)PN結(jié)(1)和PN結(jié)(3)光電二極管的光譜響應(yīng)曲線進(jìn)行有效的光譜剪裁,使兩色光譜進(jìn)一步分開(kāi),光譜寬度變窄,有利于提高測(cè)色精度,為了使PN結(jié)(3)光電二極管的光譜響應(yīng)曲線免遭外來(lái)雜散光的干擾,在管芯受光面之外用一層金屬反射膜復(fù)蓋。
由于本發(fā)明具有上述三大特點(diǎn),所以用此結(jié)構(gòu)制作的兩色分波硅彩色傳感器,可以得到最佳的光譜響應(yīng),使PN結(jié)(1)和PN結(jié)(3)光電二極管的峰值波長(zhǎng)分別處在藍(lán)色光譜區(qū)和紅色光譜區(qū),并且彼此互不重迭。用本發(fā)明的兩色分波硅彩色傳感器可以取代傳統(tǒng)的測(cè)色探頭,使測(cè)色裝置大大簡(jiǎn)化,體積縮小,成本降低,特別適用于自動(dòng)化生產(chǎn)線上對(duì)生產(chǎn)過(guò)程的監(jiān)控。
附圖1為兩色分波硅彩色傳感器結(jié)構(gòu)示意圖,圖中標(biāo)號(hào)分別表示如下意義:
1、2、3分別為PN結(jié)(1),PN結(jié)(2)、PN結(jié)(3);4為硅外延層;5為與外延層導(dǎo)電類(lèi)型相反的重?fù)诫s硅單晶襯底;6、7為PN結(jié)(1)光電二極管電極引出線;8、9為PN結(jié)(3)光電二極管電極引出線;10為金屬膜;11為二氧化硅膜;12為入射光。
實(shí)施例:
(1)在電阻率為10-2Ωcm-10-3Ωcm的P型硅單晶襯底(5)上,外延一層厚度為3-8um、雜質(zhì)濃度為1014cm-3-1015cm-3的N型硅外延層(4);
(2)用擴(kuò)散方法制作PN結(jié)(1)和PN結(jié)(2),PN結(jié)(1)的結(jié)深Xj1<1.0um,表面濃度NS1>1011cm-3,PN結(jié)(2)的結(jié)深為Xj2<3um,表面濃度NS2>1017cm-3,在PN結(jié)制作過(guò)程中,同時(shí)制作硅表面的二氧化硅鈍化膜;
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于武漢大學(xué),未經(jīng)武漢大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://m.szxzyx.cn/pat/books/85100237/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





