[其他]利用片狀觸媒擴散生長多晶金剛石的方法及其產品

無效

• 申請號: 85100695
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN1006058B
• 公開（公告）日: 1989-12-13
• 發明（設計）人: 陳良辰;程月英
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種用石墨作原料在超高壓容器中，在超高壓和高溫條件下及觸媒合金存在下生長多晶金剛石的方法，其中所說的高溫為1600℃-2000℃，所說的超高壓是用六壓砧雙級增壓技術形成的，其中壓力為77-80千巴，在超高壓容器中放有管狀石墨加熱爐〔1〕、陶瓷絕緣管〔2〕和金屬箔〔3〕，其特征在于，所說的觸媒合金呈片狀，而且使多晶金剛石在垂直于觸媒面的壓力軸上溫度、壓力的梯度（場）方向相反的條件下生長。

2、按權利要求1所述的生長多晶金剛石的方法，其特征在于：其中所說溫度、壓力的梯度（場）相反是通過把觸媒合金片〔5〕放在石墨原材料〔4〕之間，平行于石墨加熱爐上、下端面并位于其中部的方法形成的。

3、按照權利要求1所述的生長多晶金剛石方法，其特征在于，所說的觸媒合金是NiGrFe或NiMnFe或Ni基合金。

4、按照權利要求1-3任何其中一項所說的生長多晶金剛石方法其中所說的金屬箔是鈦箔。

5、按照權利要求1-3項任何其中一項所說的生長多晶金剛石的方法，其所說的管狀陶瓷管是由氧化鋁管或氧化鋯管做成的。

6、一種按照上述的任何一種權利要求的生長多晶金剛石的方法制備的具有組織致密、晶粒細小的適于作拉絲成品模的多晶金剛石。