[其他]場效應晶體管組成的集成電路和一種可編程序的只讀存貯器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85101045
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85101045B
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 卡皮恩斯;哈蒂格林
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 主分類號: G11C17/00
• 分類號: G11C17/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 楊凱

1、一種集成在半導體基片上的邏輯存貯電路，它具有至個一個可抹可編程的存貯單元組成的存貯矩陣，該矩陣受控于由若干絕緣柵型場效應晶體管構成的一個控制部件，該控制部件包括：用于將編程電壓供給所述存貯矩陣的編程裝置，該編程電壓高于多個處于電流導通狀態(tài)的場效應晶體管源極與漏極之間的擊穿電壓，但低于電流截止狀的擊穿電壓，以及還包括用于選擇要編程的存貯單元的一個地址選擇部件，用以將該編程電壓供給這些存貯單元，其特征在于：

該控制部件還包括在該編程裝置將該編程電壓供給一選定的存貯單元的周期內，用以使該地址選擇部件的晶體管保持在電流截止狀態(tài)的開關裝置;該地址選擇部件還包括盡管是電流截止狀態(tài)，仍然保持該地址選擇部件的輸出端上出現的邏輯信息的裝置。

2、一種根據權利要求1的存貯器集成電路，其特征在于該存貯電路是由互補絕緣柵場效應晶體管組成的。