[其他]場效應晶體管組成的集成電路和一種可編程序的只讀存貯器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85101045
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85101045B
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 卡皮恩斯;哈蒂格林
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 主分類號: G11C17/00
• 分類號: G11C17/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 楊凱

本發(fā)明涉及集成在半導體片上的邏輯存貯電路，它有至少一組可抹除的可編程序存貯單元構成的存貯陣列，該陣列由絕緣柵場效應晶體管（MOST′S）所組成的一種控制部件來控制。

EPROM（可抹除的可編程序只讀存貯器）和EEPROM（可電抹除的可編程序只讀存貯器）型可編程永久存貯器近來日趨普遍，因為在電子計算機或微處理器中它們具備以一種簡單的方式就能將存儲器編程，抹除和再編程的優(yōu)點，因此大大增加了引入新程序的靈活性。這類EPROM或EEPROM通常是在半導體片上集成的，多數是與其它的算術運算器和控制部件在一起的，后者均為計算機或微處理器的組成部份。

在EPROM或EEPROM上編程，通常需要一個比在半導體片上其余元件工作電壓高很多的工作電壓，即以略低于構成EPROM或EEPROM的半導體區(qū)的半導體結反向工作（結擊穿）狀態(tài)的擊穿電壓。

為了使所述的其余的半導體元件（尤其是對那些需要選用被加上一個正確編程電壓的存貯單元的半導體元件）適應存儲器的編程電壓，可以使用具有較長溝道長度的場效應晶體管，事實上溝道長度越長，源/漏擊穿電壓就越高。例如具有10微米溝道長度的場效應晶體管能承受20伏的源極與漏極之間的電壓，當溝道長度為2.5微米時，這個電壓可降到低于10伏，但是，不利的是使用具有大的溝道長度的場效應晶體管會影響開關速度，這正是不希望的。

本發(fā)明的目的在于提供前面提到的那種集成的存貯電路，盡管需要編程存貯矩陣用的高編程電壓，但為了不有害地影響存貯電路的讀出速度，還采用了具有（鑒于它們擊穿電壓相應于編程電壓）較小的溝道長度的晶體管。

根據本發(fā)明，前面所述的一集成存貯電路的特點是控制部件包括：編程裝置和開關裝置，編程裝置用于給所述存貯矩陣加上一個編程電壓，這個編程電壓比數個導通狀態(tài)下的場效應晶體管源與漏之間擊穿電壓高，但卻低于截止狀態(tài)時的擊穿電壓;開關裝置用于引入和/或保持控制部件中場效應晶體管的電流截止狀態(tài)，同時保留管子中的邏輯信息。

根據本發(fā)明，利用了場效應晶體管截止時的源/漏擊穿電壓遠比導通時要高的這一效應。

利用這些措施的組合一方面能有高的讀出速度，而另一方面能使邏輯信息（尤其是用于場效應晶體管存儲部分的選擇和數據信息），即使這些晶體管處于不再導通狀態(tài)時也能保存下來。因此那些承受存貯器高編程電壓的晶體管在編程周期內會處于不導通狀態(tài)，也不會改變它們的邏輯信息。這就要求一種相應的寫/抹邏輯電路和緩存器，用于保留編程周期間的邏輯信息。當加上編程電壓之后，只要相對高的編程電壓存在，就能將該信息保留下來（例如在雙穩(wěn)態(tài)電路中）。即使在該周期內某種干擾信號（地址數據和/或控制信號）發(fā)生變化時，該狀態(tài)也必須保留。

從前文可清楚地看見，所述的發(fā)明也可以用于永久讀/寫存貯器之中（永久RAM），這是因為在此類存貯器中亦使用了可編程型式的晶體管。

除了采用快速電路之外，該方法還有其他優(yōu)點，即在編程周期內，外部總線（數據或地址總線）可隨意操作別的電路或準備下一周期時的信息。

現在將通過例子并參照附圖對本發(fā)明作具體介紹，其中：

圖1至4為采用本發(fā)明的集成電路的電路圖及相關的電壓-時間波形。

圖5為電路圖。

圖6為體現本發(fā)明的相應電壓-時間波形圖，以及

圖7為一檢測編程電壓存在的電路。

圖1至4與先有未公布的83，04256號荷蘭專利申請的圖5至8是一致的。該申請于1983年12月9日提出。為了清楚地理解本發(fā)明，首先考慮具有EEPROM存貯器的邏輯電路。