[其他]調諧振蕩器無效
| 申請號: | 85101664 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN1003971B | 公開(公告)日: | 1989-04-19 |
| 發明(設計)人: | 村上義和;伊藤誠吾;山田敏郎 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 李先春 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調諧 振蕩器 | ||
1、一調諧振蕩器,包括:一有源元件,一磁鐵諧振器,一微帶線和直流偏置磁場裝置,其特征在于:所述磁鐵諧振器是由磁鐵晶體構成,所述微帶線電磁地與所述磁鐵晶體相耦合,所述直流偏置磁場裝置將直流偏置磁場施加至所述磁鐵晶體,所述微帶線與所述有源元件相連;所述磁鐵晶體由通過薄膜形成技術形成的一YIG(鐿、鐵和石榴石)薄膜構成,并且諧振是利用磁鐵諧振的均勻模式。
2、根據權利要求1所述的調諧振蕩器,其特征在于:所述磁鐵晶體為通過液相外延生長技術在非磁性襯底上形成的薄膜YIG。
3、根據權利要求2所述的調諧振蕩器,其特征在于:所述非磁性襯底是一鐿鎵石榴石單晶體。
4、根據權利要求1所述的調諧振蕩器,其特征在于:所述磁鐵晶體是一在其外圍部分上有一溝的YIG薄盤。
5、根據權利要求1所述的調諧振蕩器,其特征在于所述磁鐵晶體為一YIG薄盤,其中心部分的厚度小于其外圍部分的厚度。
6、根據權利要求1所述的調諧振蕩器,其特征在于還包括一與所述有源元件相連的阻抗匹配元件。
7、根據權利要求1所述的調諧振蕩器,其特征在于還包括一與所磁鐵晶體相連的阻抗匹配元件。
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