[其他]調諧振蕩器

無效

• 申請號: 85101664
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN1003971B
• 公開（公告）日: 1989-04-19
• 發明（設計）人: 村上義和;伊藤誠吾;山田敏郎
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

公開的調諧振蕩器包括有源元件，電氣連接到有源元件的諧振器，并且是由利用鐵磁共振現象制成的和提供磁場到共振器的磁路。共振器是利用薄膜形成工藝制成的ＹＩＧ薄膜磁共振元件組成的，并且利用了在ＹＩＧ薄膜內的均勻模鐵磁共振，并在磁路外加磁場下工作。

本發明是關于在收音機、電視機等等中的調諧電路內作為本機振蕩器使用的調諧振蕩器和在光譜分析儀、微波測試儀器等中的掃描振蕩器。

在現有技術中，這樣的振蕩器使用鐿鐵石榴石體（這里YIG表示鐿、鐵和石榴石，但其中可能含有各種類型的添加劑），即YIG球（如已在日本專利申請號為32671/1979的出版文件中公開的那樣），這類YIG球具有各種不同的特性，例如在高到微波頻帶時有高的諧振特性Q值;由于它的諧振頻率和YIG的體積無關，因此在外形尺寸上能做得很小;在改變加到YIG球上的偏磁時，它的響應頻率可在寬帶內線性地改變;等等。

然而由于在振蕩器內使用YIG球，上述的振蕩器也有不足之處。這樣的調諧振蕩器很難在MIC（薄膜混合微波集成電路）的基片上集成，因此就減少了結構上的靈活性。而且，這樣的YIG調諧振蕩器的缺點是必須通過調整導線和構成YIG球耦合環的帶狀物和通過調整耦合環和YIG體之間的位置實現匹配，致使該調諧振蕩器極易受振動的影響。

考慮到上述問題，本發明提供了一個能改進上述缺點的調諧振蕩器。

依本發明，由于通過所謂的薄膜形成工藝、諸如液相外延生長技術，噴濺，化學液相生長工藝等形成YIG薄膜磁諧振元件被使用作為諧振器，能充分有效利用YIG，并且球易損壞的缺點得到改進。

根據本發明提供的一個調諧振蕩器，包括一個有源元件，一個由利用磁鐵共振現象的磁材料做成的并和有源元件電氣連接的諧振器及一個給諧振器提供磁場的磁路，在這種情況下，利用薄膜形成技術，諧振器由YIG（鐿、鐵和石榴石）薄膜磁諧振元件構成;并且利用了在YIG薄膜內的均勻模式的磁鐵共振。

圖1是依本發明調諧振蕩器實施例的斷面圖;

圖2是振蕩器電路實際結構的平面圖;

圖3是沿圖2線A-A的剖面圖;

圖4是闡述振蕩電路的方框圖;

圖5是振蕩器電路例方框圖;

圖6是簡述振蕩原理的史密斯圓圖;

圖7、8、9、12、13、14、15和17是分別簡述本發明的圖表;

圖10、16是簡述YIG薄膜磁振蕩元件的立體圖;

圖11是圖10的斷面圖;

圖18至25是依本發明的各種振蕩電路的實施例。

標號1表示磁軛，2表示空氣隙，3表示振蕩電路基片，4和5分別表示磁極，6表示線圈，33是微帶線，35是YIG薄膜磁諧振元件，37是晶體管，38是阻抗匹配電路。

現在借助附圖進一步地描述本發明調諧振蕩器的實施例。

在本實施例中，如圖1所示，提供了一個由磁性材料，例如坡莫合金等構成的磁軛1，其中構成磁隙2，在磁隙2中放置著含振蕩電路的基片3。線圈6至少繞在磁極4和5中的一個上，磁極相對放置形成磁軛1的磁間隙2，而變化的電流饋送到線圈6，從而完成了提供變化磁場的裝置。