[其他]高抗干擾HP-MOS系列集成電路無效
| 申請號: | 85102308 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85102308B | 公開(公告)日: | 1988-07-06 |
| 發明(設計)人: | 寧震寰 | 申請(專利權)人: | 鄭州大學 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04 |
| 代理公司: | 河南省專利代理中心 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 河南省鄭州*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗干擾 hp mos 系列 集成電路 | ||
【權利要求書】:
1、HP-MOS系列集成電路的特征是:在負24V±4V電源下,其高抗干擾端噪聲容限10V≤△VN≤14V,并可外接電容調節動態噪聲容限△T的大小,tr,tf并不增大,且△TH=△TL,即在相同頻率下,△TN接近最大值,可以方便的與C-MOS、LS-TTL、LH-DTL等集成電路直接連接使用的高抗干擾的E/DP-MOS集成電路。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





