[其他]動態隨機存取存貯器單元(dRAM)和生產方法

無效

• 申請號: 85103376
• 申請日: 1985-05-13
• 公開（公告）號: CN85103376A
• 公開（公告）日: 1986-11-19
• 發明（設計）人: 查特基;馬利;理查森
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/66;H01L21/02;G11C11/40;G11C11/24
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、半導體襯底存貯單元其特征在于包括：

(a)在上述襯底溝內制作電容器；

(b)在上述的溝內制作場效應管并和上述電容器相聯。

2、權利要求1的單元內其特征在于：

（a）電容器首先被置于上述溝的較下部;

（b）上述管子溝道首先被置于溝的上部，且定向溝道的傳導方向實質上是垂直的。

3、權利要求2的單元內其特征在于：

（a）實際上溝有凸形橫截面。

4、權利要求2的單元內其特征在于：

（a）實際上溝道是鄰近上述溝的側壁。

5、權利要求4的單元內其特征在于：

（a）上述溝的上部比下部有較大的直徑。

6、權利要求2的單元內其特征在于：

（a）在插入到溝里的半導體材料上制造上述溝道。

7、權利要求2的單元內其特征在于：

（a）上述溝道是制作在溝的側壁部分內。

8、權利要求7的單元內其特征在于：

（a）上述電容器的特點在于包括溝側壁部分的一個板極和包括插入到溝里材料中的另一個板極，并同上述溝道是聯結導通的。

9、在襯底上的存貯單元陣列包括其特征在于：

（a）平行第一傳導線的大多數在上述襯底上;

（b）平行第二傳導線的大多數和上述導線相交叉，但相互隔離;

（c）單元的大多數，上述每個交點的一個單元，上述單元的每一個都包括一個場效應管子和一個電容器，電容器是在交叉下邊襯底溝里，管子的漏極同第一導線中的一條聯接，管子的柵極同第二導線中的一相條聯接，管子的源極同電容器的第一板極相聯接。

10、權利要求9的陣列內其特征在于：

（a）電容的第二板極同襯底相聯。

11、在半導體襯底溝道存貯單元內加工一個管/一個電容器的一種方法，其特征在于如下步驟：

（a）在鄰近襯底表面和襯底傳導型相反的表面內形成第一區;

（b）在上述襯底內并通過第一區形成溝;

（c）在溝的壁上形成絕緣層;

（d）在上述溝里和絕緣層上形成半導體層，半導體層構成管子的源極，溝道，漏極和電容的一個板極，第一區構成管子的柵極，襯底構成電容器的另一板極。

12、在襯底溝的存貯單元內加工一支管子/一個電容器的一種方法，其特征在于如下步驟：

（a）在襯底內形成第一溝;

（b）在第一溝的底部和壁上形成管子柵極絕緣器;

（c）用管子柵極材料填滿第一區;

（d）在上述襯底內構成第二溝，第二溝是用第一溝里管子柵極材料形成的，第二溝比第一溝窄，以至當第二溝形成時不是所有的柵極材料被去掉，第二溝從第一溝底部延伸到襯底里去;

（e）在第二溝的壁內構成電容器板極/管子源極區;

（f）在第二溝壁上構成電容器絕緣體;

（g）在電容器的絕緣體上構成第二電容器板極材料。

13、在半導體襯底溝道存貯單元內加工一支管子/一個電容器的一種方法，其特征在于如下步驟：

（a）在襯底內形成溝;

（b）在溝壁上形成絕緣層;

（c）用半導體材料填滿溝的底部;

（d）在沒有填滿溝的上部和溝的側壁里構成場效應管，管子的源極用局部充填鄰近上述材料的上部來構成，上述材料和源極共同包含上述電容器的一個板極。