[其他]在量子阱器件中的磷勢(shì)壘和高磷多磷化合物勢(shì)壘

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85104043
• 申請(qǐng)日: 1985-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN85104043A
• 公開（公告）日: 1986-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 迪戈丁·奧萊戈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 斯托弗化學(xué)公司
• 主分類號(hào): H01L29/02
• 分類號(hào): H01L29/02
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 陳景峻,肖春京

1、一種半導(dǎo)體器件，其組成為：

A)包含一種金屬間化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體材料層，

B)與上述半導(dǎo)體層相鄰的第一勢(shì)壘層；該勢(shì)壘層包含有磷元素。

2、權(quán)項(xiàng)1的半導(dǎo)體器件，還包括：

C）與第一勢(shì)壘層的一邊相鄰，但不與半導(dǎo)體層相鄰的第二勢(shì)壘層。該層包含磷元素和MPx，其中M是一種堿金屬，x值的范圍是15至無窮大。

3、一種半導(dǎo)體器件，其組成為：

A）、半導(dǎo)體材料層，它包含一種金屬間化合物半導(dǎo)體;以及

B）、第一勢(shì)壘層，它與半導(dǎo)體層的一面相鄰接;該勢(shì)壘層含有MPx，其中M是一種堿金屬，x值的范圍是由15至無窮大。

4、屬于權(quán)項(xiàng)1的半導(dǎo)體器件，還包括：

C）、一個(gè)第二勢(shì)壘層，它與第一勢(shì)壘層的一個(gè)面相鄰接而不與半導(dǎo)體層相鄰接;該第二勢(shì)壘層也含有由MPx和磷所組成的材料組之一。

5、屬于權(quán)項(xiàng)2或4的半導(dǎo)體器件，其中第二勢(shì)壘層在導(dǎo)電性能方面與第一勢(shì)壘不同。

6、屬于權(quán)項(xiàng)2或4的半導(dǎo)體器件，其中一種勢(shì)壘層是摻雜的。

7、屬于權(quán)項(xiàng)6的半導(dǎo)體器件，其中另一種勢(shì)壘是非摻雜的。

8、屬于權(quán)項(xiàng)7的半導(dǎo)體器件，其中第一勢(shì)壘層是非摻雜的。

9、屬于權(quán)項(xiàng)2或4的半導(dǎo)體器件，還包括：

D）一個(gè)第三勢(shì)壘層，它與半導(dǎo)體層的另一個(gè)面相鄰接，該第三勢(shì)壘層材料選自磷和MPx所組成的材料組，其中M是一種堿金屬，x值的范圍是由15至無窮大。

10、屬于權(quán)項(xiàng)9的半導(dǎo)體器件，其中第一和第三勢(shì)壘層在導(dǎo)電性能方面與第二勢(shì)壘層不同。

11、屬于權(quán)項(xiàng)10.的半導(dǎo)體器件，其中，第一和第三勢(shì)壘層在摻雜方面與第二勢(shì)壘層不同。

12、屬于權(quán)項(xiàng)11的半導(dǎo)體器件，其中，第一和第三勢(shì)壘層是非摻雜的，而第二勢(shì)壘層是摻雜的。

13、屬于權(quán)項(xiàng)9的半導(dǎo)體器件，還包括：

E）一個(gè)第四勢(shì)壘層，它與第三勢(shì)壘層的另一個(gè)面相鄰接。

14、屬于權(quán)項(xiàng)13的半導(dǎo)體器件，其中第一和第三勢(shì)壘層在導(dǎo)電性能方面與第二和第四勢(shì)壘層不同。

15、屬于權(quán)項(xiàng)14的半導(dǎo)體器件，其中第一和第三勢(shì)壘層在摻雜方面與第二和第四勢(shì)壘層不同。

16、屬于權(quán)項(xiàng)15的半導(dǎo)體器件，其中第一和第三勢(shì)壘層是非摻雜的，而第二和第四勢(shì)壘層是摻雜的。

17、權(quán)項(xiàng)1或2的任何一項(xiàng)中所說的器件，其中金屬間化合物半導(dǎo)體含有一種磷族元素。

18、在權(quán)項(xiàng)17中所說的器件，其中金屬間化合物半導(dǎo)體是一種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體。

19、在權(quán)項(xiàng)18中所說的器件，其中勢(shì)壘層中的至少一個(gè)是非晶態(tài)磷它具有層狀、折皺片狀局部排列順序。

20、在權(quán)項(xiàng)18中所規(guī)定的器件，其中勢(shì)壘層中至少一個(gè)是單斜晶磷。

21、在權(quán)項(xiàng)18中所說的器件，其中勢(shì)壘層中至少一個(gè)是紅磷。

22、在權(quán)項(xiàng)3或4的任何一項(xiàng)中所說的器件，其中金屬間化合物半導(dǎo)體含有一種磷族元素。

23、在權(quán)項(xiàng)22中所說的器件，其中金屬間化合物半導(dǎo)體是一種Ⅲ-Ⅴ族元素。

24、制造量子阱器件的方法，是在一種含有磷族元素的金屬間化合物半導(dǎo)體上沉積一種含磷的勢(shì)壘層。

25、制造量子阱器件的方法，是在一種含有磷族元素的金屬間化合物半導(dǎo)體上沉積勢(shì)壘層，該勢(shì)壘層含有MPx，其中M是一種堿金屬，x值的范圍是由15至無窮大。