[其他]在量子阱器件中的磷勢壘和高磷多磷化合物勢壘

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85104043
• 申請日: 1985-05-27
• 公開（公告）號: CN85104043A
• 公開（公告）日: 1986-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 迪戈丁·奧萊戈
• 申請（專利權(quán)）人: 斯托弗化學公司
• 主分類號: H01L29/02
• 分類號: H01L29/02
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部
• 代理人: 陳景峻,肖春京

本申請是下述共同未決的美國專利申請的延續(xù)部分。其申請序號為509，210;581，115;581，140;581，171。

本申請涉及如下共同未決的專利，這些專利與本專利的代理人相同。本文援引這些專利申請作為參考文獻。這些美國專利申請的標題為：《磷化物半導體材料，制備的方法和裝置以及用其制成的器件》序號為No。335，706，申請日期1981年12月30日，現(xiàn)已棄權(quán);《用一種堿金屬蒸氣形成的單斜晶磷》序號No。419，537，申請日期1982年9月17日，該申請是序號No。335，706的延續(xù)部分;《磷化物材料，它們的制備和應用，以及由其制成的半導體和其他器件》序號442，208，申請日期1982年11月16日該申請是序號No。335，706和419，537的延續(xù)部分;《磷化物材料的真空氣相生長薄膜》序號No。509，159，申請日期1983年6月29日;《添加堿金屬的石墨蒸氣源》序號No。509，157，申請日期1983年6月29日;《磷化物材料的濺射半導電薄膜和用其制造的器件》序號No。509，175，申請日期1983年6月29日;《用單質(zhì)磷族元素或多磷化合物絕緣層制成的金屬-絕緣體-半導體器件（MIS）》序號No。509，210，申請日期1983年6月29日;《結(jié)晶態(tài)多磷化合物的液相生長》序號No。509，158，申請日期1983年6月29日;《在高真空過程中形成磷族元素薄膜的熱裂化》序號No。581，139，申請日期1984年2月17日，該申請是序號No。509，159的延續(xù)部分;《含有磷族元素，特別是含有一種層狀結(jié)構(gòu)的非晶態(tài)磷族元素的Ⅲ-Ⅴ族器件的鈍化和絕緣》序號No.581，115，申請日期1984年2月17日;《在量子阱器件中的磷族元素勢壘》序號No.581，140，申請日期1984年2月17日;《在光電器件中磷族元素作為波導的應用》序號No.581，171，申請日期1984年2月17日;《采用磷族元素連續(xù)輸運方式，特別是濺射方式的真空沉積過程》序號No.581，103，申請日期是1984年2月17日;《為薄膜沉積而提供的連續(xù)磷族元素源和輸運方式，特別是化學氣相沉積方式》序號No.581，102，申請日期19842月17日;《制備高純白磷的方法》序號No.581，105，申請日期1984年2月17日;《用于真空系統(tǒng)的磷族元素收集器》序號No.581，101，申請日期1984年2月17日;《采用磷族元素連續(xù)輸運方式的高真空沉積過程》序號No.581，104，申請日期1984年2月17日;《采用一種多磷族元素化合物半導體的薄膜場效應晶體管》，序號No.619，053，申請日期1984年6月11日;序號No.442，208中的一部分;《磷化物材料的摻雜》序號No.677，911，申請日期1984年12月4日《磷化物材料的制備和用途，以及使用該材料的半導體器件和其它器件》序號No.677，845，申請日期1984年12月4日;《磷化物材料薄膜的制備和用途，以及采用該材料的半導體器件和其它器件》序號No.680，369，申請日期1984年12月1日;《磷化物的化學氣相沉積，以及采用該材料的半導體器件及其它器件》序號No.678，599，申請日期1984年12月5日;《制備磷化物材料的氣相輸運裝置以及采用該材料的半導體器件和其它器件》序號678，598，申請日期1984年12月5日;《磷化物材料的合成和強化》序號No.680，781，申請日期1984年12月11日;《采用瞬間氣化方式制備磷化物材料的方法和裝置，以及采用該材料的半導體器件和其它器件》序號No。680，369，申請日期1984年12月11日。

本發(fā)明涉及在量子阱器件中的磷和高磷多磷化合物勢壘。特別是采用這種勢壘的量子阱器件;異質(zhì)結(jié)器件;場效應晶體管，金屬半導體場效應晶體管（MESFETS），環(huán)形振蕩器，兩維電子氣晶體管，光探測器和激光器。

各種磷及高磷多磷化合物的同素異形體與許多常用的含磷族元素的二族、三族及四族半導體相比，具有更大的能帶間隙。它們被用于量子阱異質(zhì)結(jié)器件中。該同素異形體能以薄膜方式生長在這種半導體材料中并具有良好的附著性和界面特性。請參照上述同期未決申請的標題為《含有磷族元素的特別是含有一種層狀結(jié)構(gòu)的非晶態(tài)磷族元素的Ⅲ-Ⅴ族器件的鈍化和絕緣》（歐洲專利申請?zhí)枮?4????304????427.2公開發(fā)表號為0132326，日期：1985年1月30日）。