[其他]低壓電可編程序只讀存儲器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85104497
• 申請日: 1985-06-12
• 公開（公告）號: CN1004738B
• 公開（公告）日: 1989-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 斯蒂芬
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、一在硅基底上形成的電可編程序和電可清除只讀存儲器器件，包括

在上述基底上形成源區(qū)和漏區(qū)，在上述源區(qū)和漏區(qū)之間確定溝道區(qū);

一浮置柵完全由絕緣體包圍，并安置在上述溝道區(qū)之上，所述浮置柵由一基本同樣厚的絕緣區(qū)使其與所述溝道相隔離;

一控制柵與上述浮置柵絕緣，且安置在上述浮置柵之上;

在所述源區(qū)與所述硅基底間形成的結(jié)具有較在所述漏區(qū)與所述硅基底間形成的結(jié)具有更平緩的摻雜濃度梯度;

所述源區(qū)在所述浮置柵下面延伸，并與所述浮置柵由所述絕緣區(qū)相互絕緣，從而在所述浮置柵與所述源區(qū)間形成一增大電容的區(qū)域，所述增大電容較在所述浮置柵與所述漏區(qū)間的電容要大;

所述浮置柵由來自溝道區(qū)的熱電子溝道注入充電，并通過將所述浮置柵的電子由電子隧道效應(yīng)通過在所述增大電容的區(qū)域處的絕緣區(qū)從所述浮置柵移入所述硅基底，使所述浮置柵放電;

從而得到高密度的器件。

2、權(quán)利要求1所述的器件，其中所述絕緣區(qū)是二氧化硅，其厚度約為135A。

3、權(quán)利要求1所述的器件，還包括一個與上述源區(qū)相通的附加基底區(qū)，上述浮置柵延伸到上述附加區(qū)之上，并且由一第二層絕緣層與上述附加區(qū)相互絕緣，所述第二絕緣層比隔離浮置柵和溝道區(qū)的所述絕緣層薄。

4、權(quán)利要求3中所述的器件，其中把所述浮置柵和所述溝道區(qū)隔開的所絕緣區(qū)是厚度約為200A的二氧化硅層，而把所述附加區(qū)和所述浮置柵隔開所述第二絕緣層是厚度約100A的二氧化硅層。

5、權(quán)利要求1中所述的器件，其中所述漏區(qū)是由第一和第二摻雜物形成的，而所述第一摻雜物與所述基底是相反電導(dǎo)型的，而所述第二摻雜物是引入所述漏區(qū)的，所述第二摻雜物是與所述基底相同的電導(dǎo)型的，所述第一、第二摻雜物確定所述精確定位的、較薄的漏區(qū)。

6、權(quán)利要求5所述的器件，其中所述第二摻雜物在所述基底內(nèi)擴(kuò)散得比所述第一摻雜物更快。

7、權(quán)利要求6所述的器件，其中所述第一摻雜物包括砷，所述第二摻雜物包括硼。

8、權(quán)利要求7所述的器件，其中所述第一和第二摻雜物是為了形成上述源區(qū)，并且還用第三摻雜物形成上述源區(qū)。

9、權(quán)利要求8所述的器件，其中所述第三摻雜物包括磷。

10、一在一第一導(dǎo)電型硅基底的一第一基底區(qū)域和一第二基底區(qū)域上形成的電可編程序且電可清除的只讀存儲器器件，包括：

一設(shè)置在所述第一和第二基底區(qū)域的場氧化區(qū)域，

一完全由絕緣體包圍且設(shè)置在所述第一和第二基底區(qū)域之上的浮置柵，所述浮置柵由一具有第一厚度的絕緣體將其與所述第一基底區(qū)域相絕緣，由一具有較所述第一厚度為薄的第二厚度的絕緣體將其與所述第二基底區(qū)域相絕緣。

一安置在所述浮置柵之上并與之絕緣的控制柵，所述控制柵延伸出所述第一和第二基底區(qū)域，

一第二導(dǎo)電型的源區(qū)和漏區(qū)通常被安置在所述第一基底區(qū)域，所述源區(qū)和漏區(qū)限定一溝道區(qū)，所述溝道區(qū)與所述浮置柵由所述具有所述第一厚度的絕緣體相互絕緣，所述源區(qū)與所述漏區(qū)相比具有較平緩的摻雜濃度梯度，

一第二導(dǎo)電型的附加基底區(qū)域，由所述源區(qū)延伸至所述第二基底區(qū)域，所述附加基底區(qū)域與所述浮置柵由所述具有所述第二厚度的絕緣體相絕緣，