[其他]在硅襯底上形成隔離硅區(qū)和場(chǎng)效應(yīng)器件的工藝過(guò)程

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85104551
• 申請(qǐng)日: 1985-06-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1006261B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-12-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 貝格;趙·H·挺;華泰禮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、在一片硅襯底上制造場(chǎng)效應(yīng)器件的過(guò)程中，利用一些絕緣區(qū)把所述器件彼此隔離開(kāi)來(lái)，改進(jìn)的工藝過(guò)程的特征在于包括下列步驟：

在所述襯底上形成一絕緣層;

在所述絕緣層上形成掩膜部分;

在所述絕緣層未加掩膜的各部分形成絕緣區(qū)，其中所述各絕緣區(qū)延伸入襯底中，從而界定了所述各絕緣區(qū)之間的窗口;

蝕刻所述絕緣層和各絕緣區(qū)，使所述襯底在所述各窗口處暴露出來(lái);

在所述各絕緣區(qū)和各窗口上面形成一硅層;

對(duì)所述硅層進(jìn)行處理，促使所述硅層再結(jié)晶，所述再結(jié)晶過(guò)程是在所述襯底上生長(zhǎng)出結(jié)晶，通過(guò)所述各窗口延伸入所述硅層中，再橫向延伸入置于所述各絕緣區(qū)上方的所述硅層中;

形成一柵極，其中所述柵極置于形成漏區(qū)和源區(qū)的所述各絕緣區(qū)上方;

于是所述各絕緣區(qū)就把源區(qū)和漏區(qū)與所述襯底隔離開(kāi)來(lái)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1確定的工藝過(guò)程，其特征在于該工藝過(guò)程還包括在所述再結(jié)晶硅層中確定隔離區(qū)，以使各個(gè)所述器件在所述再結(jié)晶層里彼此隔離開(kāi)的步驟。

3、根據(jù)權(quán)利要求2確定的工藝過(guò)程，其特征在于所述器件的溝道一般位于所述窗口的上方。

4、根據(jù)權(quán)利要求1確定的工藝過(guò)程，其特征在于所述的硅襯底是一單晶硅，所述的再結(jié)晶的硅層取所述襯底的晶向，這樣便形成了一層類似外延層的上部硅層。

5、根據(jù)權(quán)利要求4確定的工藝過(guò)程，其特征在于形成所述硅層的所述工藝步驟包括形成一層多晶硅的步驟。

6、根據(jù)權(quán)利要求4確定的工藝過(guò)程，其特征在于形成一層硅層的所述步驟包含形成一層非晶硅的步驟。

7、根據(jù)權(quán)利要求1確定的工藝過(guò)程，其特征在于所述各絕緣區(qū)是由所述襯底生長(zhǎng)出來(lái)的二氧化硅區(qū)。

8、根據(jù)權(quán)利要求7確定的工藝過(guò)程，其特征在于該工藝過(guò)程包括在所述的形成所述硅層的所述步驟前弄平所述絕緣層和各絕緣區(qū)的步驟。

9、根據(jù)權(quán)利要求1定義的工藝過(guò)程，其特征在于對(duì)所述硅層進(jìn)行處理以形成所述的再結(jié)晶的硅的所述步驟包括把所述硅層加熱。

10、一種在一單晶硅襯底上制造若干場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETs）的工藝過(guò)程，其特征在于，該工藝過(guò)程包括下列步驟：

在所述襯底上形成一氧化層;

在所述氧化層上形成掩膜部分;

通過(guò)高溫氧化在所述氧化層未加掩膜的各部分形成若干場(chǎng)氧化區(qū)，其中所述各場(chǎng)氧化區(qū)延伸入所述襯底中，從而界定所述各場(chǎng)氧化區(qū)之間的窗口;

適當(dāng)?shù)匚g刻所述氧化層和所述各場(chǎng)氧化區(qū)，使所述襯底在所述各窗口暴露出來(lái);

在所述各場(chǎng)氧化區(qū)和各窗口上面形成一硅層，所述硅層在所述間隔的各場(chǎng)氧化區(qū)之間與所述襯底接觸;

在所述硅層上面形成一硅復(fù)合層;

對(duì)所述硅層進(jìn)行處理，促使所述硅層再結(jié)晶，從而使所述硅層具有所述襯底的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，所述再結(jié)晶過(guò)程是在所述襯底上生長(zhǎng)結(jié)晶，通過(guò)所述各窗口延伸入所述硅層中，再橫向延伸入置于所述各氧化層上方的所述硅層中;

形成若干柵極，其中各柵極置于各所述窗口的上方;