[其他]一種制造電子器件的方法無效
| 申請號： | 85104934 | 申請日： | 1985-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN1003899B | 公開（公告）日： | 1989-04-12 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;永山進;伊藤健二 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 付康 |
| 地址： | 日本國東京都世田*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制造 電子器件 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種制造含有至少一層透明導電層的電子器件的方法，包括形成一透明導電層部件;其特征在于
將透明導電層部件暴露于波長為400nm或更小而光能大于透明導電層部件的光能帶寬度的一束或多束線狀激光束的輻射之下，從而把透明導電層部件分割為透明導電層，所述激光束是由一準分子激光源獲得的。
2、根據權利要求1所述的制造方法，其中透明導電層主要由可升華金屬氧化物例如SnO2，In2O3或ITO（銦-錫氧化物）構成或由可升華金屬氮化物如SbN，InN或SN5N4構成，而且其中透明導電層部件是由可升華金屬氧化物或氮化物構成。
3、根據權利要求2所述的制造方法，其中透明導電層厚為2μm或更小，而且透明導電層部件厚度為2μm或更小。
4、根據權利要求1所述的制造方法，其中透明導電層在一透明基片上形成，該透明基片有一有機或無機絕緣表面而且其中的透明導電層部件是在透明基片上形成的。
5、根據權利要求1所述的制造方法，其中透明導電層是在非單晶半導體層部件上形成，并且透明導電層部件是在非單晶半導體層部件上形成的。
6、根據權利要求5所述的制造方法，其中非單晶半導體層部件主要要包括一個可升華半導體，該半導體中含有氫或鹵素空鍵中和劑例如Si、SixGe1-x（其中0＜x＜0.5），SixC1-X。
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