[其他]一種制造電子器件的方法

無效

• 申請號: 85104934
• 申請日: 1985-06-28
• 公開（公告）號: CN1003899B
• 公開（公告）日: 1989-04-12
• 發明（設計）人: 山崎舜平;永山進;伊藤健二
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 付康

在制造包括至少一層透明導電層的電子器件的方法中，包括采用一束或多束點狀或線狀激光束形成至少一個透明導電層部件的步驟和至少一個對透明導電層部件制作圖形面形成透明導電層的步驟，上述每一種激光束都具有４００ｎｍ或更短的波長和大于透明導電層光能帶寬度的光能。

本發明是關于一種制造電子器件的方法，這種電子器件具有至少一層透明導電層，例如半導體光電轉換器，場效應管，液晶顯示器等。更具體地說是關于改進型電子器件的制造方法。它包括至少一個形成透明導電層部件的步驟和利用一束激光或多束激光束對透明導電層部件刻圖形的步驟以形成透明導電層。

已經提出過一種制造電子器件的方法，它包括至少一個形成透明導電層部件和由一束或多束激光對透明導電層部件刻圖形的步驟以形成透明導電層。與另一利采用光刻技術來形成導電層的制造方法比較，上述制造方法的優點在于它形成的透明導電層沒有任何疵點。造成這一結果的原因是當用光刻法形成透明導電層時，光刻膠層易于在其邊緣上產生氣泡或剝落。其結果形成疵點。反之，采用一束激光構成圖形的方法就沒有產生疵點的因素。

用來形成透明導電層的刻圖形技術的傳統方法是通過使用一束激光束來實現的，在通常實踐中，使用一種YAG激光器，它發射較長波長約1060nm的激光束。

上述透明導電層部件對于這種比較長的波長的激光束的吸收率相當小。例如：當透明導電部件主要包含可升華的金屬氧化物如SnO₂，In₂O₃或ITO（銦錫氧化物）時，它的吸收率為10²/Cm或更小。其原因如下：當激光束具有1060nm波長時，其光能大大小于透明導電部件的光能帶寬度，如當激光束具有1060nm波長時，其光能約為1.23ev，而另一方面，當透明導電層部件主要包括SnO₂，In₂O₃或ITO這種可升華金屬氧化物時，它的光能帶寬度范圍是3-4ev。

由于透明導電層部件對激光束的吸收率非常小，因此，用激光束形成透明導電層圖形時，必須使用高能量的光束。當透明導電層部件厚度為2μm或更小時，有可能會使基片或下面的其它層損壞或形成圖形，也可能會使透明導電層的邊緣膨脹或脫落。

更進一步地說，當激光具有1060nm這樣較長的波長或近似波長時，要使光點直徑減小到100μm或更小是困難的。因而，采用傳統的制造方法，要高精度地形成透明導電層是困難的。另外，當連續地形成多個透明導電層時，它們的間隔不能小于等于100μm，這就使具有透明導電層的小而緊湊的電子器件的制造受到一些限制。

本發明的目的是提供一種制造含有一層透明導電層的電子器件的新方法，該透明導電層擺脫了上述先有技術中的缺陷。

本發明所述的電子器件的制造方法包括至少一個形成透明導電層部件的步驟和由一個點狀激光束對該透明導電層部件進行掃描的步驟或由一束或多束線狀激光束對暴露的透明導電層部件進行輻照，從而形成透明導電層。在這種情況下，激光束具有400nm或更短的波長，其波長數值比過去所使用的小而它具有的光能大于透明導電層部件的光能帶寬度。

采用400nm或更短波長的激光束，透明導電層部件的吸收率將遠大于對約1060nm波長激光的吸收率。例如，透明導電層部件的吸收率是10⁴/cm或更大，它比過去使用的波長為1060nm或近似波長的激光的吸收率（約為10²/cm）大100多倍，因此，激光束也不需要很大功率，而且，即使形成圖形的透明導電層部件厚度為2μm或更小，也不會由于激光使下面的基片或其它層被損壞或形成圖形。再者，本發明所描述的方法可以消除由于對透明導電層部件刻圖形而使其邊緣膨脹或脫離。

此外，射在透明導電層部件上的波長為400nm或更短的激光速，其最小光點直徑或寬度可容易地減小到100μm或更小。

這就有可能生產比過去精度更高的透明導電層。而且，當生產多個透明導電層時，它們的間距可達到小于等于100μm。因此，本發明提供了一種比傳統方法所生產的更小更緊湊的具有多個透明導電層的電子器件的制造方法。