[其他]光纖電壓(電場)計無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85105751 | 申請日: | 1985-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN85105751B | 公開(公告)日: | 1988-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 霍玉晶;彭江得;廖延彪 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | G01R19/00 | 分類號: | G01R19/00;G01R29/08;G01R29/12;G01R13/40 |
| 代理公司: | 清華大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人: | 黃學(xué)信,廖元秋 |
| 地址: | 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光纖 電壓 電場 | ||
本發(fā)明屬于一種測量交直流電壓(電場)的儀器。
光纖電壓(電場)計用于測量電壓(電場),尤其適用于電磁干擾嚴(yán)重,需要防爆的環(huán)境中。已有的光纖電壓(電場)計,例如日本T.Yoshino等人描述的一種光纖電壓(電場)計,它是用光纖、電光晶體(LN、BSO、BGO等晶體)、偏振器以及波片等構(gòu)成的。(見1984年第二屆國際光纖傳感器論文集)。此種光纖電壓(電場)計的特征是,由光纖傳導(dǎo)的激光經(jīng)過透鏡進(jìn)入電光晶體,受到被測電壓(電場)的作用后偏振態(tài)發(fā)生變化,此光經(jīng)檢測系統(tǒng)測出隨被測電壓(電場)變化的信號,利用出射光的調(diào)制度與被測電壓(電場)的關(guān)系,對交流電壓(電場)進(jìn)行測量,具有較高的量測精度,其誤差小于±0.3%。由于輸入激光功率及偏振態(tài)變化的影響,使進(jìn)入光纖電壓計探頭內(nèi)電光晶體的光強隨入射到偏振器上的光強及偏振態(tài)的變化而變化,因此,從探頭出射的光強強度不僅僅隨被測電壓(電場)變化,也隨入射光強度及偏振態(tài)變化,因此導(dǎo)致對直流電壓(電場)測量精度降低,以至不能實際使用。由于每一條光纖都要有一個透鏡,使其探頭體積增大,影響對電場的測量精度。
本發(fā)明的目的是提供一種光纖電壓(電場)計,旨在促進(jìn)上述問題的解決,實現(xiàn)一種既可對交流也可對直流電壓(電場)進(jìn)行高精度測量的光纖電壓(電場)計,并降低成本。
本發(fā)明的任務(wù)是以如下方式完成的,在光纖電壓(電場)計內(nèi)部設(shè)置部分反射鏡配合光纖引出光強的取樣信號,以對入射到探頭內(nèi)的光強進(jìn)行歸一處理,用來消除入射光光強及偏振態(tài)變化對測量精度的影響,以提高測量精度。用多光纖共透鏡的方法,以減小探頭體積,提高測量精度,并降低探頭成本。
本發(fā)明有兩種實施方案:
方案一是在探頭內(nèi)部設(shè)置部分反射鏡,將經(jīng)過光纖、透鏡和偏振棱鏡之后射向電光晶體的光束的一部分反射,此反射光經(jīng)原路到光纖〔14〕取出,作為對入射到電光晶體〔8〕上的光進(jìn)行歸一處理的取樣信號。
方案二是用以輸入光束、取樣光束和輸出光束的三條光纖共用同一個透鏡來耦合光束,此三條光纖位于透鏡〔21〕的前焦點附近,從探頭的同一側(cè)面引出,由激光器〔17〕發(fā)出的光經(jīng)過透鏡〔18〕、光纖〔19〕、偏振器〔20〕和透鏡〔21〕后,由適當(dāng)傾斜的部分反射鏡〔22〕反射,光經(jīng)原路反射到光纖〔23〕后由光電探測器〔24〕接收,作為對入射光進(jìn)行歸一處理的取樣信號。
用本發(fā)明所制造的光纖電壓(電場)計,其優(yōu)點是測量交流電壓(電場)的精度高,誤差不大于±0.3%,而測量直流電壓(電場)的精度大有提高,其誤差不大于±0.5%,體積比同類產(chǎn)品小一個量級,減少了對電場分布的影響,從而擴大了應(yīng)用范圍,成本降低5倍。
附圖1、2、3、4、5、6是光纖電壓(電場)計的具體實施方案框圖。
圖1是第一種實施方案框圖。
圖中:1.激光器;2.透鏡;3.光纖;4.透鏡;5.偏振棱鏡;6.λ/4波片;7.部分反射鏡;8.電光晶體;9.偏振棱鏡;10.透鏡;11.光纖;12.光電探測器;13.透鏡;14.光纖;15.光電探測器。
圖2是在第一種實施方案中用1/4波片〔6〕的右表面代替部分反射鏡〔7〕。
圖3是在第一種實施方案中用電光晶體〔8〕的左表面代替部分反射鏡〔7〕。
圖4是第二種實施方案框圖。
圖中:17.激光器;18.透鏡;19.光纖;20.偏振器;21.透鏡;22.部分反射鏡;23.光纖;24.電光探測器;25.λ/8波片;26.電光晶體;27.全反射鏡;28.光纖;29.光電探測器。
圖5是在第二種實施方案中用λ/8波片〔25〕的左表面代替部分反射鏡〔22〕。
圖6是在第二種實施方案中用電光晶體〔26〕的左表面代替部分反射鏡〔22〕。
下面將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的兩種實施方案。
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