[其他]門電路斷開可控硅

無效

• 申請號: 85105982
• 申請日: 1985-08-08
• 公開（公告）號: CN85105982B
• 公開（公告）日: 1988-03-30
• 發明（設計）人: 櫻田修六;池田裕彥
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 杜日新

1、門電路斷開可控硅包括有：

半導體襯底，它具有第一層，該層暴露在襯底的第一個主表面上且屬于第一導電型，第二層鄰接于上述第一層且為第二導電型，第三層鄰接于上述第二層且暴露在上述襯底的第二個主表面上，該第三層屬于第一導電型，第四層鄰接于上述第三層也暴露在上述襯底的第二主表面上，該第四層屬于第二導電型，以及屬于第一導電型的第五層，它設置于上所第一層和第二層之間，具有小于上述第一層的雜質濃度;

第一主電極至少與上述第一層良好導電連接;

第二主電極與上述第四層良好導電連接;

控制極連接于上述第三層，

其特征為：

在上述襯底第一主表面上露出的上述第五層的雜質濃度小于各層中最厚的、用作基區層的上所第二層的雜質濃度，由此，降低了載流子從上述第一層向上述第二層注入的注入效率。

2、根據權利要求1所述門電路斷開可控硅，其中第一導電型為P型。

3、根據權利要求1所述門電路斷開可控硅，其中上述半導體襯底成磨斜角，使在靠近上述第五層的一條邊上，該半導體襯底部分的截面積小于在該襯底靠近上述第三層的一條邊上該半導體襯底部分的截面積。

4、根據權利要求1所述的門電路斷開可控硅，其中上述第一層具有高于上述第二層的雜質濃度。