[其他]帶分立、可控衰減元件和狹縫光闌的狹縫X射線照相裝置無效
| 申請號: | 85106432 | 申請日: | 1985-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN85106432A | 公開(公告)日: | 1987-03-18 |
| 發明(設計)人: | 雨果·夫拉斯布勞姆;西蒙·杜英克 | 申請(專利權)人: | 老代爾夫特光學工業有限公司 |
| 主分類號: | G03B42/02 | 分類號: | G03B42/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 荷蘭代爾夫特*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分立 可控 衰減 元件 狹縫 光闌 射線 照相 裝置 | ||
本發明涉及狹縫X射線照相裝置。
這種裝置包括分立、可控衰減元件,衰減元件與狹縫光闌共同工作。這種裝置在正在審理的8400845號荷蘭專利申請中得到了描述。在此提及該專利申請,作為參考。8400845號荷蘭專利申請描述了適合的衰減元件的各種實施方案。8400845號荷蘭專利申請所描述的衰減方法中,多數是基于采用X射線衰減材料制成的、或是涂有這種材料的并列的分立元件;在適當的控制信號的控制下,每個元件可以至少部分移至穿過、或者將要穿過狹縫光闌的X射線中,并且,這種移動可大可小,以便能局部衰減X射線。
若使用這種分立元件,會出現這樣的危險,即在控制信號的影響下,元件會進入一種以很不希望的方式振動的狀態,或者當這種狀態改變時,元件會偏離它們的位置。因此,需要有一種阻尼裝置,以抑制分立衰減元件的振動或滑動。
本發明的一個目的就是要滿足這種需要。為此目的,根據本發明,上述類型裝置的特征在于,每個可控衰減元件都附加有一個阻尼件。
下面將參照附圖,對根據本發明的裝置的幾個實施方案予以描述。在附圖中,
圖1顯示了根據本發明的裝置的第一實施方案;
圖2是根據本發明的裝置的側面圖;
圖3是沿圖2中Ⅲ-Ⅲ線所得的截面圖;
圖4顯示的是根據本發明的裝置的第三實施方案。
圖1A為一個截面圖,顯示的是帶有狹縫S的狹縫光闌1;來自以狹縫X射線照相術中常規方式工作的X射線源2的、基本上是平面的扇形X射線束B穿過狹縫S。
細長的衰減元件3的自由端在操作中或多或少地伸入X射線束B中,衰減元件3與多個并列的類似衰減元件相聯。在沒有示出的控制裝置的影響下,每個衰減元件在操作中能按照箭頭4所指方向,相對于固定支點5做旋轉運動。適宜的控制裝置在正在審理的8400845號荷蘭專利申請中得到了描述。所述的控制裝置不構成本發明的一部分,故在此不予以進一步的描述。
在圖1所示的實施方案中,每個衰減元件包括連桿6,連桿6大致垂直延伸至衰減元件的縱向。所述連桿6遠離衰減元件的一端與置于圓筒8中的活塞7相連。所述圓筒以已知方式充有一種液體,如油,以便在某種程度上對活塞在圓筒中的運動加以制動,從而避免衰減元件的振動或滑動。
圖1B顯示的是用于滑板狀衰減元件3′的類似的阻尼件。以下將要描述的本發明的實施方案,既可用于滑板狀衰減元件,又可用于旋轉型細長衰減元件。
在圖2和圖3所示的本發明實施方案中,每個衰減元件包括一個葉片9,葉片9伸至裝有適當液體10的容器11中??梢杂糜汀⒁掖蓟蛩鳛樽枘嵋后w。
葉片是用剛性材料制成的,并且可以被制成是帶波紋的,如線9a所示。葉片可以被膠合在衰減元件上,最好葉片是用合成塑料材料制成的。葉片也可通過連桿而與衰減元件相連。這種實施方案尤其適用于滑板狀衰減元件。容器11可以用任何適合的材料制成。圖3是圖2的正面圖,其中略去了容器11的前壁。每個衰減元件3a-3f都配置有伸至容器11中的液體10里的葉片9a-9f。
為了避免在相聯的衰減元件的運動中葉片相互影響,最好在容器中設置平行的隔離件12-16,以便每個葉片伸向容器中各自的倉內。
而且,隔離件12-16還增強了阻尼效應。
阻尼的程度可受容器中所選液體的粘度、容器中液位的高度、以及葉片的形狀所影響。需要的話,容器中可充有多層溶和性極差的不同的液體。
圖4為圖2和圖3的變異,其中,每個葉片都是用合成塑料材料制成的,并且,在每個葉片的兩邊部分地置有一層導電材料17a-17d。為了清楚起見,本圖只示出了兩個帶葉片的衰減元件。在導電材料層附近,容器11兩邊的磁極N和S產生了一個非均勻磁場,磁場方向垂直于所述的葉片。一旦所述導電材料層17a-17d相對磁場運動時,在導電材料層17a-17d中產生的渦流損耗便使阻尼得以實現(傅科效應Foucault????effect)。
在這種情況下,最好采用銅制成容器11。
利用渦流損耗的阻尼方法可單獨使用,或者,如圖4所示,與同樣具有阻尼效應的裝有液體的容器結合使用。
可以看出,在上述實施方案之外,本技術領域中的技術人員可隨意做出各種變更。例如,可以使衰減元件帶有導電金屬葉片,其中,渦流損耗在非均勻磁場的影響下產生。在這種情況下,導電層17可以從圖4所示的實施方案中略去。
也可以使用非導電材料制成的葉片,只在其一邊上設置一個導電層。這些改動仍被視為不超出本發明的范圍。
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