[其他]聚碳硅烷的合成方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85108006 | 申請(qǐng)日: | 1985-10-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN85108006A | 公開(kāi)(公告)日: | 1987-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊淑金;劉心慰;黃海珍;費(fèi)逸偉;姜秀珍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C07F7/08 | 分類號(hào): | C07F7/08 |
| 代理公司: | 國(guó)防科技大學(xué)專利辦公室 | 代理人: | 文偉能 |
| 地址: | 湖南省長(zhǎng)沙*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅烷 合成 方法 | ||
1、一種聚碳硅烷的合成方法,包括在常壓下利用高溫裂解反應(yīng)柱和冷卻柱,其特征是:適當(dāng)控制反應(yīng)瓶溫度、裂解區(qū)溫度、反應(yīng)時(shí)間單程一步合成。原料用含硅-硅鍵、硅-碳鍵、硅-鹵鍵的有機(jī)化合物及其混合物。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,反應(yīng)瓶溫度控制在150-500℃。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,裂解區(qū)溫度控制在200-700℃。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,反應(yīng)時(shí)間控制在30分鐘-10小時(shí)。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,原料選用具有結(jié)構(gòu)單元為
(R是低級(jí)烷基、苯基或氫原子),n至少為3的有機(jī)硅化合物。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,原料選用具有以下結(jié)構(gòu)單元或環(huán)硅烷〔Si(CH3)2〕nn=4.5.6.7或的化合物。
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,原料選用具有結(jié)構(gòu)單元Cl2(CH3)-SiSi(CH3)Cl2或n至少為2的的化合物。
8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,原料選用具有結(jié)構(gòu)單元
或〔Si(CH3)2〕n(n=4.5.6.7)或或Cl2(CH3)或SiSi(CH3)Cl2或(n至少為2)的化合物的混合物。
9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,原料選用含有1.1.2-三甲基三氯二硅烷、1,2-二甲基四氯二硅烷、四甲基二氯硅烷以及直接法合成有機(jī)硅化合物的副產(chǎn)物。
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