[其他]鍍鋁薄膜的常溫快速陽極氧化技術

無效

• 申請號: 85109238
• 申請日: 1985-12-16
• 公開（公告）號: CN85109238A
• 公開（公告）日: 1986-09-03
• 發明（設計）人: 方敬忠;羅贊繼;張海梅;凌凱達
• 申請（專利權）人: 青海省太陽能研究所
• 主分類號: C25D11/08
• 分類號: C25D11/08;C25D11/18;C25D11/20;C23C28/00;C03C17/09;C23C17/27;C04B41/88
• 代理公司: 青海省專利服務中心
• 代理人: 劉開鼎

本發明涉及鋁的陽極氧化技術。

通常鋁的陽極氧化是在鋁材上進行的，這種方法一般時間長，耗能多。若要獲得較高反射率的表面，還需進行化學拋光或電化學拋光，因而工藝較復雜，成本也高。

本發明提供一種鍍鋁膜層的陽極氧化新技術，本技術的實施不但為鍍鋁膜層提供一種有效的保護層，而且還可擴大陽極氧化技術的應用范圍。

本發明的特征在于它是在非金屬（尤其適用于玻璃、陶瓷）基底材料上的鍍鋁鏡面經陽極氧化處理生成一層氧化鋁鈍面薄膜。其工藝過程和操作條件如下：

1、制備鍍鋁膜層

用真空鍍膜機在光滑的非金屬基體材料表面上蒸鍍一層清潔光亮的鋁膜。

2、鍍鋁膜層的清洗

制備好的鋁膜，一般不用清洗，若表面有指紋、油污、汗漬等，可用1%的草酸溶液清洗。清洗后晾干備用。

3、陽極氧化處理

陰極采用鉛板，陽極為在非金屬基底材料上蒸鍍鋁膜的被處理件。被處理件通過平整光潔的鋁板與夾具相接。與被處理件相接的鋁板應與溶液相接。氧化處理的條件如下：

電解液成分：

H₂SO₄20～100ml/l（水）

Na₂Sio₃（水玻璃） 20～100g/l（水）

C₄H₆O₆3～20g/l（水）

（HO）C₆H₃（COOH）SO₃H·2H₂O 3～20g/l（水）

溶劑采用蒸餾水或去離子水。

操作條件：通以直流電，電流密度1.5～3.5A/dm²，槽電壓15～30V，時間2～6分鐘。電流應逐漸到達額定值。

4、封閉處理

陽極氧化處理后的工件，用水沖洗后，除去表面的殘留水，進行封閉處理。

封閉處理按以下方法之一進行：

（1）封閉液配比為：

Na₂SiO₃（水玻璃） 30～100g/l（水）

K₂Cr₄O₇10～50g/l（水）

溶液溫度85～95℃，封閉處理時間5～10分鐘。

（2）封閉液為

Na₂Sio₃（水玻璃） 50～100g/l（水）

溶液溫度為75～85℃，通以直流電，電流密度控制在0.8～2.0A/dm²，電壓控制在20～50V，封閉處理時間1～3分鐘。

（3）封閉液為

KCr₂O₄5～15g/l（水）

溶液溫度為75～85℃，封閉處理時間10～25分鐘。

5、成品清洗及干燥

封閉處理后的另件，用水清洗，然后自然晾干。

本發明提供的鋁膜陽極氧化技術，可以在鋁膜表面生成一種耐摩、耐蝕、耐候的電絕緣氧化膜層，并且這種氧化膜層表面能保持較高的可見光反射率（85%左右）。采用本技術制成的高穩定性的鏡面材料，可用作太陽能聚光器的反射材料等。同時，本技術具有生產工藝簡單，耗能較少，成本低廉，生產效率高等特點。