[其他]含有各種不同容量電容的集成電路無效
| 申請號: | 85109668 | 申請日: | 1985-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN1003067B | 公開(公告)日: | 1989-01-11 |
| 發明(設計)人: | 阿諾爾達斯.約翰尼斯.朱莉安娜.布德威贊斯 | 申請(專利權)人: | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京;杜有文 |
| 地址: | 荷蘭.艾恩*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 含有 各種 不同 容量 電容 集成電路 | ||
1、一種包括不同容量的多電容集成電路,該電路包括一個半導體本體,在該本體的表面上有許多互相靠近布置的第一電容電極,每一個第一電容電極由介電層與第二電容電極隔開,第一和第二電容電極構成了按行布置的基本電容的電極,同時將第一和第二電容電極分別互連,使一個或一個以上的第一電極與一個或一個以上的相對應的第二連接電極之間的不同數目的基本電容互相并聯連接,以形成容量不同的一些電容。多行基本電容具有相同的第一電容電極數目n,n個基本電容的每一行具有一個第一行的連線,用該連線使所有相關行的n個第一電容電極互連,該互連的第一電容電極的相關行形成了第一連接電極,這些行的n個基本電容互連的第二電容電極的第一組形成了與第一電極相對應的第二連接電極,這些行的n個基本電容互連的第二電容電極的第二組形成了第三連接電極,該集成電路的特征在于,在n個基本電容的第一行中、屬于相應的第二連接電極的第二電容電極的數目小于在n個基本電容的第二行中的數目。
2、根據權利要求1的集成電路,其特征在于,屬于相應的第二連接電極的第一行n個基本電容的每一個第二電容電極被安排在屬于一個接續連接電極的第一行的兩個相鄰的第二電容電極之間。
3、根據權利要求2的集成電路,其特征在于,在一個矩陣內至少布置若干個基本電容,此矩陣至少包括若干個第一行連線,并具有使第二電容電極互連的多個列連接。
4、根據權利要求3的集成電路,其特征在于,該矩陣具有一個由全部矩陣電容組成的中心部分,該矩陣的第一電容電極屬于第一連接電極,其第二電容電極屬于一個相應的第二連接電極,矩陣的中心部分大體上完全被矩陣的外圍部分所包圍,矩陣外圍部分包括:安排在中心部分的第一側的至少兩個大體上完整的基本電容;安排在與第一側對著的中心部分的另一側的至少兩行大體上完整的基本電容;還包括安排在中心部分的第二側的至少兩列大體上完整的基本電容及安排在與第二側對著的中心部分的另一側的至少兩列大體上完整的基本電容,同時屬于外圍部分的基本電容的第一電容電極,或者第二電容電極,至少有一個屬于接續連接電極。
5、根據權利要求3的集成電路,其特征在于,在該矩陣中存在多行n個基本電容,該矩陣的第一電容電極屬于上述不同容量的電容之一的第一連接電極,同時一個或一個以上的列連線在安排于兩行之間的區域上有中斷,其結果,使這些一個或一個以上的列連線至少由相互分離的兩部分組成。
6、根據權利要求4的集成電路,其特征在于,在該矩陣中存在多行n個基本電容,該矩陣的第一電容電極屬于上述不同容量的電容之一的第一連接電極,同時一個或一個以上的列連線在安排于兩行之間的區域上有中斷,其結果,使這些一個或一個以上的列連線至少由相互分離的兩部分組成。
7、根據權利要求6的集成電路,其特征在于,上述一個或一個以上的列連線在該矩陣內各有一個(單個)中斷,各由兩部分組成,每一部分均至少延伸到該矩陣的邊緣。
8、根據權利要求1~7中的任何一種集成電路,其特征在于,含有一個或一個以上屬于一個或一個以上的上述容量不同的電容的基本電容的每一行n個基本電容被安排在與接續連接電極相連的兩行連線之間。
9、根據權利要求8中的任何一種集成電路,其特征在于,存在多行n個基本電容,它們包括屬于上述一個或一個以上、容量不同的電容的一個或一個以上的基本電容,至少兩行與接續連接電極相連的行連線延伸在這些多行連線的每相鄰兩行之間。
10、根據權利要求9的集成電路,其特征在于,每兩行連線均使一行n個基本電容的第一電容電極互連。
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