[其他]含有各種不同容量電容的集成電路

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85109668
• 申請(qǐng)日: 1985-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN1003067B
• 公開（公告）日: 1989-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿諾爾達(dá)斯.約翰尼斯.朱莉安娜.布德威贊斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 菲利浦光燈制造公司
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京;杜有文

一種含有不同容量的電容的集成電路，它包括多行基本電容（３１、３３、３２）。這些電容具有數(shù)目不同的并聯(lián)連接在第一連接電極（３４）與相應(yīng)的第二連接電極（３５）之間的基本電容。各行有數(shù)目相同的ｎ個(gè)基本電容。用基本電容不同數(shù)目的不同行構(gòu)成上述電容部分。相關(guān)行中所有余下的基本電容都是偽電容。第二電容電極（３２）連接到一個(gè)或一個(gè)以上的接續(xù)連接電極（３７）。

本發(fā)明涉及具有許多不同容量電容的一種集成電路，該電路包括一個(gè)半導(dǎo)體本體，在該本體的表面上有許多行互相靠近布置的第一電容電極，每一行第一電容電極由介電層與第二電容電極隔開。第一和第二電容電極構(gòu)成了按行排列的基本電容的電極。把一個(gè)或多個(gè)第一連接電極與一個(gè)或多個(gè)相對(duì)應(yīng)的第二連接電極之間的不同數(shù)目的基本電容互相并聯(lián)，以便用互連第一和第二電容電極的方法形成容量不同的電容。基本電容行具有相同數(shù)目n的第一電容電極，每一行n個(gè)基本電容有一個(gè)第一行連線，用該連線使所有與該行有關(guān)的n個(gè)第一電容電極互連，以形成了第一連接電極。使這些行的n個(gè)基本電容互連的第二電容電極的第一組形成了與第一電極相對(duì)應(yīng)的第二連接電極，而這些行的n個(gè)基本電容互連的第二電容電極的第二組形成了第三連接電極。

從日本專利申請(qǐng)56-201618已經(jīng)知道有這樣一種集成電路，它已于1983年6月20日以No58-103163公開有待公眾審查。特別是該日本專利申請(qǐng)的圖3表明了一個(gè)含有18個(gè)基本電容的電容矩陣，每行的兩個(gè)外側(cè)基本電容形成偽電容。矩陣中所有其他基本電容的第二電容電極屬于一個(gè)公共的第二連接電極，上述偽電容的第二電容電極形成了第三連接電極。將不同行數(shù)的基本電容的第一連接電極互連，可得到不同的容量，從而形成16個(gè)基本電容的不同并聯(lián)。

更特別地（但不是唯一地）在做成集成電路的數(shù)/模或模/數(shù)轉(zhuǎn)換器中，往往需要不同大小的電容，它們的制作精度要求很高。所以嚴(yán)格的要求往往要由不同電容量的比值的精度來承擔(dān)。特別是，如果要求大量的電容和/或大的容量比時(shí)（尤其是用于集成電路的表面面積有限時(shí)）則必須給最小的電容以最小可能的表面面積和最低可能的容量。減小電容大小的可能性主要遇到了它們的限制，與制作所要求的幾道操作有關(guān)的限制會(huì)危及到上述所要求的精度。其中，尤其可以指出的是與光刻和刻蝕處理特別有關(guān)的邊緣效應(yīng)。此外，從大表面面積來看由于某些操作不可能做到充分地均勻所以精度也可能受到限制。例如，當(dāng)施加絕緣層時(shí)，可能得到的不是所希望的厚度均勻的絕緣層（即整個(gè)面積上的厚度相同），其厚度或多或少地有稍許的變化（也許是在局部區(qū)域）。

所以為了達(dá)到高精度，適當(dāng)?shù)剡x擇各種電容的幾何形狀，以及適當(dāng)?shù)卦诳芍谱麟娙莸恼麄€(gè)表面面積內(nèi)安排各種電容的位置是很重要的。在現(xiàn)有文獻(xiàn)中，早已把注意力集中到這兩方面了。從Journal of Solid State Circuits《固體、電路雜志》Vol.SC-10，No.6，Dec.1975，pp371-379，IEEE Trcmsation on Communication（電氣及電子工程師學(xué)會(huì)通信會(huì)刊）Vol.COM-27，No.2，F(xiàn)eb.1979，pp296-304）和1984 IEEE International Solid State Circuits Conference（電氣及電子工程師學(xué)會(huì)國(guó)際固體電路會(huì)議）Feb.1984，Digest of Technical Paper（技術(shù)論文類編）pp64，65和319中可以看到某些例子。大多數(shù)已知的電容網(wǎng)絡(luò)是由大量的往往布置成矩陣的標(biāo)準(zhǔn)即基本電容構(gòu)成的，每次是把適當(dāng)數(shù)量的基本電容并聯(lián)起來，從而得到不同容量的電容。這樣，特別是電容的幾何形狀與理想情況的偏差對(duì)容量比造成的影響能保持得相當(dāng)小。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用和所需要的精度，把容量≥0.25～1PF的電容作為基本電容。在需要1024個(gè)基本電容的矩陣的10-位數(shù)/模轉(zhuǎn)換器中，電容矩陣要占2mm²左右或更大一些的面積。

為了擴(kuò)大具有電容網(wǎng)絡(luò)的集成電路的應(yīng)用和/或增加這種集成電路生產(chǎn)的產(chǎn)額，極為重要的是可以制作和采用非常小的基本電容的電容網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)電容所要求的精度和/或容量比不受到有害的影響。本發(fā)明（尤其對(duì)于本發(fā)明的目的）必須提供這方面的解決方法。

本發(fā)明尤其基于對(duì)下述事實(shí)的認(rèn)識(shí)，在這種電容網(wǎng)絡(luò)中，特別是由大量基本電容組成的大電容的相對(duì)精度往往可能是極為重要的，使用相對(duì)小的基本電容對(duì)此精度可能有良好的影響。