[其他]在基體(例如：玻璃板)上涂覆粉狀材料方法的改進及涂覆裝置

無效

• 申請號: 85109682
• 申請日: 1985-12-30
• 公開（公告）號: CN85109682B
• 公開（公告）日: 1988-01-20
• 發明（設計）人: 瓊-克勞德·庫朗;漢斯·卡爾;漢斯·蘇斯特曼;沃爾夫岡·謝弗
• 申請（專利權）人: 日本板硝子株式會社
• 主分類號: C03C17/00
• 分類號: C03C17/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 曹永來

1、一種在基體特別是玻璃板上涂覆粉狀材料的方法，使粉狀材料懸浮的氣流由分配噴咀端部的裂縫口噴向基體，其和基體表面的入射交點是在裂縫口的吸收裝置之前，該吸收裝置離開分配噴咀一段距離并與它平行，其特征是使粉狀材料懸浮的氣體在分配噴咀和吸收裝置之間的間隔中至少形成并保持一個渦流。

2、在權利要求1中記載的方法其特征是，通過調節從噴咀中噴射的氣體容積和（或）吸收的氣體容積，調節渦流的大小和旋轉速度。

3、在權利要求1中記載的方法其特征是，可通過增加吸收氣體的容量形成并保持兩個旋轉方向相反的渦流（40、42）。

4、在權利要求1中記載的方法其特征是，在噴咀的各側形成并保持1個或幾個渦流（20、40、42）。

5、在權利要求1中記載的方法其特征是，在涂覆區內沿噴咀主體吹入高溫輔助氣流。

6、一種在基體特別是玻璃板上涂覆粉狀材料的裝置，它包括：向著基體特別是玻璃板（1）表面的分配噴咀（10、24）;和在分配噴咀（10、24）的至少一側設置的限定涂覆區（Z）的壁（18、26′）;以及在涂覆區（Z）的內部與上述壁（18、26′）平行設置的吸收裝置（14）;這種裝置的特征是，通過在噴咀（10、24）與吸收裝置（14）之間設置的壁（15′、38）限定涂覆區的高度。

7、在權利要求6中記載的裝置的特征是，限定涂覆區高度的壁（15、38）具有半圓形表面。

8、在權利要求6中記載的裝置的特征是，上壁（15、38）延伸到吸收裝置（14）的開口。

9、在權利要求6中記載的裝置的特征是，在噴咀（24）側面，沿噴咀（24）設置了吹入高溫輔助氣體的吹入噴咀（33）。

10、在權利要求9中記載的裝置的特征是，上壁（38）延伸到吹入噴咀（33）的開口。

11、在權利要求6中記載的裝置的特征是，限定涂覆區（Z）側面的壁（26′），同時也形成為在涂覆區（Z）注入高溫氣體的開放室（26）。